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5.25 SDRAM 使用说明

本章说明 N32H49x 标准外设库中 SDRAM 驱动的文件组成与 24 个公开函数，以及 DataReadWrite、DataReadWrite_DMA 两个示例。SDRAM 控制器负责把外部同步动态存储器映射到芯片的存储空间，供程序直接读写；器件地址、时序、刷新与上电初始化序列需要与所用 SDRAM 颗粒的参数一致，配置原则请配合用户手册的“外部存储器控制器（SDRAM）”章节阅读。

5.25.1 相关文件

相对路径 作用
firmware/n32h49x_std_periph_driver/inc/n32h49x_sdram.h 定义总线宽度、突发长度、CAS 延迟、地址配置等取值，声明 24 个公开函数
firmware/n32h49x_std_periph_driver/src/n32h49x_sdram.c 实现上述 24 个函数：时序与刷新配置、器件地址与使能、总线参数、初始化操作序列
projects/n32h49x_EVAL/examples/SDRAM/ SDRAM 示例根目录，含 DataReadWrite、DataReadWrite_DMA 2 个示例
projects/n32h49x_EVAL/examples/SDRAM/DataReadWrite/ 该示例的工程目录组成：MDK-ARM/、EWARM/、inc/、src/、readme.txt
projects/n32h49x_EVAL/bsp/ 该示例引用的公共板级文件：串口日志与延时函数

5.25.2 API 参考

搜索 API共 24 个函数

以下 24 个公开函数按 n32h49x_sdram.h 的声明顺序分为 4 组；每个条目给出功能摘要与 n32h49x_sdram.c 中该函数正上方的注释原文。

模块与器件基础

SDRAM_DeInit、SDRAM_SetDeviceAddress、SDRAM_EnableDevice、SDRAM_EnableClock、SDRAM_ConfigAddressRemap

时序、刷新与采样

SDRAM_TimingInit、SDRAM_RefreshIntervalInit、SDRAM_ConfigSampleDelay

器件特性

SDRAM_EnableRefreshCMD、SDRAM_EnableAutoPrecharge、SDRAM_EnablePrefetchRead、SDRAM_EnableSOM、SDRAM_EnableBankInterleave、SDRAM_ConfigBusWidth、SDRAM_ConfigBurstLength、SDRAM_ConfigCASLatency、SDRAM_ConfigAddress、SDRAM_EnableWriteProtection

初始化操作序列

SDRAM_SetOperationCode、SDRAM_SetDeviceSelect、SDRAM_SetBank、SDRAM_SetAddress、SDRAM_OperationInit、SDRAM_ConfigurationInit

void SDRAM_DeInit(void)将 SDRAM 模块恢复为默认复位值。
源码注释
name    SDRAM_DeInit.
fun     Deinitializes the SDRAM module to their default reset values.
param   none
return  none
void SDRAM_TimingInit(SDRAM_TimingType *Timing)SDRAM 时序寄存器配置。
源码注释
name    SDRAM_TimingInit.
fun     SDRAM Timing Registers Configuration.
param   Timing: The parameter range is as follows
            - RowActiveTime       : from 1 to 64
            - RowCycleTime        : from 1 to 64
            - RowActToRowActDelay : from 1 to 64
            - PrechargeTime       : from 1 to 64
            - WriteRecoveryTime   : from 1 to 64
            - RefreshCycleTime    : from 1 to 64
            - RAStoCASDelay       : from 1 to 16
return  none
void SDRAM_RefreshIntervalInit(uint32_t RefreshIntervalTime)配置刷新间隔参数。
源码注释
name    SDRAM_RefreshIntervalInit.
fun     Configure the refresh interval parameter.
param   The input parameters must be the following values:
          - RefreshIntervalTime: from 1 to 16777216
return  none
void SDRAM_SetDeviceAddress(SDRAM_DeviceType DeviceNo, uint32_t BaseAddr, uint32_t AddrMask)设置 SDRAM 基地址与屏蔽地址。
源码注释
name    SDRAM_SetAddress.
fun     SDRAM set Base Address and mask address.
param   The input parameters must be the following values:
          - DeviceNo:
               - SDRAM_DEVICE_1
               - SDRAM_DEVICE_2
          - BaseAddr
               - 0xC0000000    Default value for SDRAM1
               - 0xD0000000    Default value for SDRAM2
          - AddrMask
               - (0xFFFFFFFF-(SDRAM SIZE-1))
return  none

使用提示： 源码注释的 name 字段写作 SDRAM_SetAddress.，与函数名 SDRAM_SetDeviceAddress 不一致，按函数名调用即可。

void SDRAM_EnableDevice(SDRAM_DeviceType DeviceNo, FunctionalState Cmd)SDRAM 器件使能。
源码注释
name    SDRAM_EnableDevice.
fun     SDRAM Device enable.
param   The input parameters must be the following values:
          - DeviceNo:
               - SDRAM_DEVICE_1
               - SDRAM_DEVICE_2
          - Cmd:
               - ENABLE
               - DISABLE
return  none
void SDRAM_EnableRefreshCMD(SDRAM_DeviceType DeviceNo, FunctionalState Cmd)使能所选器件的 SDRAM 刷新。
源码注释
name    SDRAM_EnableRefreshCMD.
fun     SDRAM Refresh enable of the selected device.
param   The input parameters must be the following values:
          - DeviceNo:
               - SDRAM_DEVICE_1
               - SDRAM_DEVICE_2
          - Cmd:
               - ENABLE
               - DISABLE
return  none
void SDRAM_EnableAutoPrecharge(SDRAM_DeviceType DeviceNo, FunctionalState Cmd)使能所选器件的 SDRAM 自动预充电。
源码注释
name    SDRAM_EnableAutoPrecharge.
fun     SDRAM Auto Precharge enable of the selected device.
param   The input parameters must be the following values:
          - DeviceNo:
               - SDRAM_DEVICE_1
               - SDRAM_DEVICE_2
          - Cmd:
               - ENABLE
               - DISABLE
return  none
void SDRAM_EnablePrefetchRead(SDRAM_DeviceType DeviceNo, FunctionalState Cmd)使能所选器件的 SDRAM 预取读。
源码注释
name    SDRAM_EnablePrefetchRead.
fun     SDRAM Prefetch Read enable of the selected device.
param   The input parameters must be the following values:
          - DeviceNo:
               - SDRAM_DEVICE_1
               - SDRAM_DEVICE_2
          - Cmd:
               - ENABLE
               - DISABLE
return  none
void SDRAM_EnableSOM(SDRAM_DeviceType DeviceNo, FunctionalState Cmd)使能所选器件的 SDRAM 未命中存储（SOM）。
源码注释
name    SDRAM_EnableSOM.
fun     SDRAM Store On Miss(SOM) enable of the selected device.
param   The input parameters must be the following values:
          - DeviceNo:
               - SDRAM_DEVICE_1
               - SDRAM_DEVICE_2
          - Cmd:
               - ENABLE
               - DISABLE
return  none
void SDRAM_EnableBankInterleave(SDRAM_DeviceType DeviceNo, FunctionalState Cmd)使能所选器件的 SDRAM 存储体交错。
源码注释
name    SDRAM_EnableBankInterleave.
fun     SDRAM BankInterleave enable of the selected device.
param   The input parameters must be the following values:
          - DeviceNo:
               - SDRAM_DEVICE_1
               - SDRAM_DEVICE_2
          - Cmd:
               - ENABLE
               - DISABLE
return  none
void SDRAM_ConfigBusWidth(SDRAM_DeviceType DeviceNo, uint32_t BusWidth)配置所选器件的 SDRAM 总线宽度。
源码注释
name    SDRAM_ConfigBusWidth.
fun     Configures the SDRAM Bus Width of the selected device.
param   The input parameters must be the following values:
          - DeviceNo:
               - SDRAM_DEVICE_1
               - SDRAM_DEVICE_2
          - BusWidth:
               - SDRAM_DEVICE_BUSWID_8BITS
               - SDRAM_DEVICE_BUSWID_16BITS
               - SDRAM_DEVICE_BUSWID_32BITS
return  none
void SDRAM_ConfigBurstLength(SDRAM_DeviceType DeviceNo, uint32_t BurstLength)配置所选器件的 SDRAM 突发长度。
源码注释
name    SDRAM_ConfigBurstLength.
fun     Configures the SDRAM Burst Length of the selected device.
param   The input parameters must be the following values:
          - DeviceNo:
               - SDRAM_DEVICE_1
               - SDRAM_DEVICE_2
          - BurstLength:
               - SDRAM_DEVICE_BURSTLEN_1
               - SDRAM_DEVICE_BURSTLEN_2
               - SDRAM_DEVICE_BURSTLEN_4
               - SDRAM_DEVICE_BURSTLEN_8
return  none
void SDRAM_ConfigCASLatency(SDRAM_DeviceType DeviceNo, uint32_t Latency)配置所选器件的 SDRAM CAS 延迟。
源码注释
name    SDRAM_ConfigCASLatency.
fun     Configures the SDRAM CAS Latency of the selected device.
param   The input parameters must be the following values:
          - DeviceNo:
               - SDRAM_DEVICE_1
               - SDRAM_DEVICE_2
          - CASLatency:
               - SDRAM_DEVICE_CASLTCY_0
               - SDRAM_DEVICE_CASLTCY_1
               - SDRAM_DEVICE_CASLTCY_2
               - SDRAM_DEVICE_CASLTCY_3
return  none
void SDRAM_ConfigAddress(SDRAM_DeviceType DeviceNo, uint32_t Address)配置所选器件的 SDRAM 地址。
源码注释
name    SDRAM_ConfigAddress.
fun     Configures the SDRAM Address of the selected device.
param   The input parameters must be the following values:
          - DeviceNo:
               - SDRAM_DEVICE_1
               - SDRAM_DEVICE_2
          - Address:
               - SDRAM_BANK4_ROW4096_COL256
               - SDRAM_BANK4_ROW4096_COL512
               - SDRAM_BANK4_ROW4096_COL1024
               - SDRAM_BANK4_ROW4096_COL2048
               - SDRAM_BANK4_ROW8192_COL256
               - SDRAM_BANK4_ROW8192_COL512
               - SDRAM_BANK4_ROW8192_COL1024
               - SDRAM_BANK4_ROW8192_COL2048
               - SDRAM_BANK4_ROW2048_COL256
               - SDRAM_BANK4_ROW2048_COL512
               - SDRAM_BANK4_ROW2048_COL1024
               - SDRAM_BANK4_ROW2048_COL2048
return  none
void SDRAM_EnableClock(FunctionalState Cmd)SDRAM 时钟使能。
源码注释
name    SDRAM_EnableClock.
fun     SDRAM Clock enable.
param   The input parameters must be the following values:
          - Cmd:
               - ENABLE
               - DISABLE
return  none
void SDRAM_SetOperationCode(uint32_t OperationCode)设置 SDRAM 操作码。
源码注释
name    SDRAM_SetOperationCode.
fun     Set the SDRAM Operation Code.
param   The input parameters must be the following values:
          - OperationCode:
               - SDRAM_OPCODE_NONE
               - SDRAM_OPCODE_PRECHRG
               - SDRAM_OPCODE_REFRESH
               - SDRAM_OPCODE_LOADMODE
return  none
void SDRAM_SetDeviceSelect(uint32_t ChipSelect)设置 SDRAM 器件。
源码注释
name    SDRAM_SetDeviceSelect.
fun     Set the SDRAM Device.
param   The input parameters must be the following values:
          - ChipSelect:
               - SDRAM_CS_ALL
               - SDRAM_CS_SDRAM2_ONLY
               - SDRAM_CS_SDRAM1_ONLY
               - SDRAM_CS_NONE
return  none
void SDRAM_SetBank(uint32_t BankNo)设置 SDRAM 存储体。
源码注释
name    SDRAM_SetBank.
fun     Set the SDRAM Bank.
param   The input parameters must be the following values:
          - BankNo:
               - SDRAM_BANKADD_1
               - SDRAM_BANKADD_2
               - SDRAM_BANKADD_3
               - SDRAM_BANKADD_4
return  none
void SDRAM_SetAddress(uint32_t Address)设置 SDRAM 存储体。
源码注释
name    SDRAM_SetAddress.
fun     Set the SDRAM Bank.
param   The input parameters must be the following values:
          - Address:
return  none
void SDRAM_EnableWriteProtection(SDRAM_DeviceType DeviceNo, FunctionalState Cmd)使能所选器件的写保护。
源码注释
name    SDRAM_EnableWriteProtection.
fun     Write protection enable of the selected device.
param   The input parameters must be the following values:
          - DeviceNo:
               - SDRAM_DEVICE_1
               - SDRAM_DEVICE_2
          - Cmd:
               - ENABLE
               - DISABLE
return  none
void SDRAM_ConfigSampleDelay(uint32_t CLK_delay)增大 SDRAM 采样时钟延迟。
源码注释
name   SDRAM_ConfigSampleDelay .
fun    Increase SDRAM sample clock latency.
param  CLK_delay
       - SDRAM_DELAY_NONE          Delay bypass
       - SDRAM_DELAY_0_5_PERIOD    Delay 0.5 sdram_clk period
       - SDRAM_DELAY_1_PERIOD      Delay 1 sdram_clk period
       - SDRAM_DELAY_1_5_PERIOD    Delay 1.5 sdram_clk period
       - SDRAM_DELAY_2_PERIOD      Delay 2 sdram_clk period
       - SDRAM_DELAY_2_5_PERIOD    Delay 2.5 sdram_clk period
       - SDRAM_DELAY_3_PERIOD      Delay 3 sdram_clk period
       - SDRAM_DELAY_3_5_PERIOD    Delay 3.5 sdram_clk period
       - SDRAM_DELAY_4_PERIOD      Delay 4 sdram_clk period
return none.

使用提示： 源码注释的 name 字段写作 SDRAM_ConfigSampleDelay .，与函数名 SDRAM_ConfigSampleDelay 不一致，按函数名调用即可。

void SDRAM_ConfigAddressRemap(uint32_t map_sel)配置 SDRAM1 与 SDRAM2 的地址范围。
源码注释
name    SDRAM_ConfigAddressRemap.
fun     Config SDRAM1 and SDRAM2 address range.
param  map_sel
       - SDRAM1_64MB_SDRAM2_64MB     SDRAM1 range is 0x98000000~0x9BFFFFFF; SDRAM2 range is 0x9C000000~0x9FFFFFFF
       - SDRAM1_128MB_SDRAM2_NONE    SDRAM1 range is 0x98000000~0x9FFFFFFF; SDRAM2 is unavailable
return  none
void SDRAM_OperationInit(SDRAM_OperationInitType SDRAM_OS)使用预充电所有存储体、自动刷新与加载模式寄存器来初始化 SDRAM。
源码注释
name    SDRAM_OperationInit.
fun     Initialization SDRAM using Precharge all banks, auto-refresh and load mode register
param   The input parameters must be the following values:
          - SDRAM_OS:
               - ClockEnable:
                   - ENABLE
                   - DISABLE
               - OperationCode:
                   - NO_OPERATION
                   - PRECHARGE_ALL_DEVICE
                   - REFRESH(when ClockEnable = ENABLE is auto refresh; when  ClockEnable = DISABLE is self refresh)
                   - LOAD_MODE_REGISTER
               - ChipSelect:
                   - SDRAM_CS_ALL
                   - SDRAM_CS_SDRAM2_ONLY
                   - SDRAM_CS_SDRAM1_ONLY
                   - SDRAM_CS_NONE
               - BankAddress:
               - Address: load mode register parameters
                   - BurstLen : 3;
                   - BurstType : 1;
                   - CASLatency : 3;
                   - OpMode : 2;
                   - WBMode : 1;
return  none
void SDRAM_ConfigurationInit(SDRAM_DeviceType DeviceNo, SDRAM_ConfigurationInitType SDRAM_CFG)配置 SDRAM1 或 SDRAM2 的总线宽度、突发长度、延迟等信息。
源码注释
name    SDRAM_ConfigurationInit.
fun     Configure SDRAM1 or 2 bus width, burst length, latency, and other information
param   The input parameters must be the following values:
          - DeviceNo:
               - SDRAM_DEVICE_1
               - SDRAM_DEVICE_2
          - SDRAM_CFG:
               - SdramEnable:
                   - ENABLE
                   - DISABLE
               - RefreshEnable:
                   - ENABLE
                   - DISABLE
               - AutoPrechargeEnable:
                   - ENABLE
                   - DISABLE
               - PrefetchReadEnable:
                   - ENABLE
                   - DISABLE
               - SOM_Enable:
                   - ENABLE
                   - DISABLE
               - BankInterleavEnable:
                   - ENABLE
                   - DISABLE
               - BusWidth:
                   - SDRAM_DEVICE_BUSWID_8BITS
                   - SDRAM_DEVICE_BUSWID_16BITS
                   - SDRAM_DEVICE_BUSWID_32BITS
               - BurstLength:
                   - SDRAM_DEVICE_BURSTLEN_1
                   - SDRAM_DEVICE_BURSTLEN_2
                   - SDRAM_DEVICE_BURSTLEN_4
                   - SDRAM_DEVICE_BURSTLEN_8
               - CAS_Latency:
                   - SDRAM_DEVICE_CASLTCY_0
                   - SDRAM_DEVICE_CASLTCY_1
                   - SDRAM_DEVICE_CASLTCY_2
                   - SDRAM_DEVICE_CASLTCY_3
               - AddressConfig:
                   - SDRAM_BANK4_ROW4096_COL256
                   - SDRAM_BANK4_ROW4096_COL512
                   - SDRAM_BANK4_ROW4096_COL1024
                   - SDRAM_BANK4_ROW4096_COL2048
                   - SDRAM_BANK4_ROW8192_COL256
                   - SDRAM_BANK4_ROW8192_COL512
                   - SDRAM_BANK4_ROW8192_COL1024
                   - SDRAM_BANK4_ROW8192_COL2048
                   - SDRAM_BANK4_ROW2048_COL256
                   - SDRAM_BANK4_ROW2048_COL512
                   - SDRAM_BANK4_ROW2048_COL1024
                   - SDRAM_BANK4_ROW2048_COL2048
return  none

5.25.3 Demo 示例说明

本节说明 SDRAM 的 2 个示例：DataReadWrite 以 CPU 逐字读写并回读校验外部 SDRAM，DataReadWrite_DMA 改用 DMA 完成同样的写入与回读。

5.25.3.1 DataReadWrite SDRAM 读写校验

工程目录： projects/n32h49x_EVAL/examples/SDRAM/DataReadWrite/

配置系统与 SDRAM 时钟→把 SDRAM 信号引脚设为复用功能→初始化 SDRAM 器件与时序→向 SDRAM 写入缓冲区数据→回读并逐字比较校验

项目 源码解读
功能 通过 SDRAM 控制器向外部 SDRAM 写入一段数据，再逐字回读比较；
读取数据与写入数据一致时串口打印通过，否则打印不一致的字数。
源码组成 src/main.c：main、Fill_Buffer_32；
src/bsp_sdram.c：SDRAM_RCC_Configuration、SDRAM_GPIO_Init、SDRAM_DeviceInit；
inc/main.h、inc/bsp_sdram.h、inc/n32h49x_it.h：头文件；
src/n32h49x_it.c：中断服务函数（仅异常处理）；
readme.txt：功能、环境与使用说明；
MDK-ARM/、EWARM/：Keil 与 IAR 工程。
关键配置 时钟：系统时钟 240 MHz，RCC_ConfigSDRAMClk(RCC_SDRAM_HCLK_DIV3) 使 SDRAM 时钟为 80 MHz，并使能 SDRAM 时钟与 0.5 周期采样延迟；
引脚：地址、数据、BA0/BA1、NCE0、NWE、NRAS、NCAS、DQM0/DQM1、CKE0、CLK 全部复用为 SDRAM 功能；
器件：基地址 0x98000000、地址掩码 0xFF800000，总线宽度 16 位、突发长度 4、CAS 延迟 3、地址配置 SDRAM_BANK4_ROW4096_COL256。
程序与数据路径 main 依次调用 SDRAM_RCC_Configuration、SDRAM_GPIO_Init、SDRAM_DeviceInit；
SDRAM_DeviceInit 先写器件地址、刷新间隔、时序寄存器与配置寄存器，再执行预充电、两次自动刷新与加载模式寄存器；
随后 main 用 0xA244250F 填充写缓冲区并逐个地址写入 SDRAM，再回读与写入比较。
主要 API SDRAM_SetDeviceAddress、SDRAM_RefreshIntervalInit、SDRAM_TimingInit、SDRAM_ConfigurationInit、SDRAM_OperationInit、SDRAM_ConfigSampleDelay
验证方法 编译下载复位运行后，从 USART1（TX PA9、波特率 115200）观察打印；
回读与写入一致时打印 sdram test pass，否则打印 sdram test fail 及不一致的字数。
使用提示 硬件平台为全功能板 N32H497ZGL7_EVB V1.0；
开发环境为 KEIL MDK-ARM 5.34 或 IAR EWARM 8.50.1；
实测使用 SDRAM 型号 M12L64164A（1M×16bit×4Bank，4096 行×256 列）；
引脚定义集中在 inc/bsp_sdram.h，移植时按板卡连线修改。
核心代码解读与移植

示例先配置系统与 SDRAM 时钟、把 SDRAM 信号引脚设为复用功能，再初始化 SDRAM 器件参数并执行上电序列，最后写入一段缓冲区并回读比较。

数据路径： SDRAM_RCC_Configuration 使能 GPIO 与 SDRAM 时钟 → SDRAM_GPIO_Init 把信号引脚设为复用 → SDRAM_DeviceInit 写入器件地址、时序与配置并执行上电序列 → main 写入并回读比较缓冲区

1. 配置时钟与采样延迟。 SDRAM_RCC_Configuration 使能 GPIOA～GPIOH 与 AFIO 时钟，把 HCLK 三分频作为 SDRAM 时钟，并使能 SDRAM 时钟与 0.5 周期采样延迟。

src/bsp_sdram.csrc/bsp_sdram.c · SDRAM_RCC_Configuration
    /* Enable GPIO clock*/
    RCC_EnableAHB1PeriphClk(RCC_AHB_PERIPHEN_GPIOA|RCC_AHB_PERIPHEN_GPIOB|RCC_AHB_PERIPHEN_GPIOC|RCC_AHB_PERIPHEN_GPIOD, ENABLE);;
    RCC_EnableAHB1PeriphClk(RCC_AHB_PERIPHEN_GPIOE|RCC_AHB_PERIPHEN_GPIOF|RCC_AHB_PERIPHEN_GPIOG|RCC_AHB_PERIPHEN_GPIOH, ENABLE);
    RCC_EnableAPB2PeriphClk(RCC_APB2_PERIPHEN_AFIO, ENABLE);

    /* hclk = 240M, sdram_clk = 80M */
    RCC_ConfigSDRAMClk(RCC_SDRAM_HCLK_DIV3);
    /* Enable SDRAM clock*/
    RCC_EnableAHBPeriphClk(RCC_AHB_PERIPHEN_SDRAM, ENABLE);
    /* Enable SDRAM clock delay*/
    SDRAM_ConfigSampleDelay(SDRAM_DELAY_0_5_PERIOD);

SDRAM 时钟由 HCLK 分频得到，RCC_SDRAM_HCLK_DIV3 对应 240 MHz 三分频后的 80 MHz，移植时要保证该频率不超过所用颗粒的限制。

2. 配置器件地址与时序。 SDRAM_DeviceInit 先写入器件基地址与掩码、刷新间隔，再逐项设置行激活时间、行周期等时序寄存器。

src/bsp_sdram.csrc/bsp_sdram.c · SDRAM_DeviceInit
     /* Set SDRAM address: BaseAddr = 0x98000000, AddrMask = 0xFFFFFFFF-(SDRAMSIZI-1)*/
    SDRAM_SetDeviceAddress(SDRAM_DEVICE_1, 0x98000000, 0xFF800000);//AddrMask=0xFFFFFFFF-(8Mbyte-1)
    /* Set SDRAM Refresh Interval=(Refresh Period / Number of Rows / Mem clock Period)*/
    SDRAM_RefreshIntervalInit(0x4A0);//64000000ns/4096rows/(1/80M=12.5)ns =0x4E2,whichever is smaller

    /* Set SDRAM Timing registers*/
    /* Needs to be consistent with SDRAM device characteristics */
    SDRAM_Timing.RowActiveTime       = 0x7;
    SDRAM_Timing.RowCycleTime        = 0x9;
    SDRAM_Timing.RowActToRowActDelay = 0x3;
    SDRAM_Timing.PrechargeTime       = 0x4;
    SDRAM_Timing.WriteRecoveryTime   = 0x3;
    SDRAM_Timing.RefreshCycleTime    = 0x9;
    SDRAM_Timing.RAStoCASDelay       = 0x4;
    SDRAM_TimingInit(&SDRAM_Timing);

地址掩码按容量计算，基地址与掩码一起决定 SDRAM 在存储空间的映射范围；时序取值必须与颗粒手册一致。

3. 执行上电初始化序列。 配置完成后，SDRAM_DeviceInit 依次执行预充电所有存储体、两次自动刷新与加载模式寄存器，并延时至少 300 µs 才能使用。

src/bsp_sdram.csrc/bsp_sdram.c · SDRAM_DeviceInit
    /* Precharge all banks, auto-refresh, load mode register */
    /* Precharge all banks */
    SDRAM_Operation.ClockEnable   = ENABLE;
    SDRAM_Operation.OperationCode = SDRAM_OPCODE_PRECHRG;
    SDRAM_Operation.ChipSelect    = SDRAM_CS_SDRAMx;
    SDRAM_Operation.BankAddress   = SDRAM_BANKADD_1;
    SDRAM_Operation.Address.cmd   = 0x00;
    SDRAM_OperationInit(SDRAM_Operation);

    /* auto-refresh */
    for(uint8_t i = 0; i < 2; i++)
    {
        SDRAM_Operation.ClockEnable   = ENABLE;
        SDRAM_Operation.OperationCode = SDRAM_OPCODE_REFRESH;
        SDRAM_Operation.ChipSelect    = SDRAM_CS_SDRAMx;
        SDRAM_Operation.BankAddress   = SDRAM_BANKADD_1;
        SDRAM_Operation.Address.cmd   = 0x00;
        SDRAM_OperationInit(SDRAM_Operation);
    }

    /* load mode register */
    SDRAM_Operation.ClockEnable   = ENABLE;
    SDRAM_Operation.OperationCode = SDRAM_OPCODE_LOADMODE;
    SDRAM_Operation.ChipSelect    = SDRAM_CS_SDRAMx;
    SDRAM_Operation.BankAddress   = SDRAM_BANKADD_1;
    SDRAM_Operation.Address.Bits.BurstLen = LOADMODE_BURSTLEN_4;
    SDRAM_Operation.Address.Bits.BurstType = LOADMODE_BURSTTYP_SEQUENTIAL;
    SDRAM_Operation.Address.Bits.CASLatency = LOADMODE_CASLATENCY_3;
    SDRAM_Operation.Address.Bits.OpMode = LOADMODE_STANDARD;
    SDRAM_Operation.Address.Bits.WBMode = LOADMODE_WRITE_BURST;
    SDRAM_OperationInit(SDRAM_Operation);

    /* wait at least 300us*/
    systick_delay_us(500);

加载模式寄存器里的突发长度与 CAS 延迟必须和前面的 SDRAM_Configuration 保持一致，否则读写数据会错位。

4. 写入并回读比较。 main 用固定值填充写缓冲区，逐地址写入 SDRAM，延时后回读并统计不一致的字数。

src/main.csrc/main.c · main
    /* Fill the buffer to write */
    Fill_Buffer_32(tx_buffer, BUFFER_SIZE, 0xA244250F);

    /* Fill the Read buffer */
    Fill_Buffer_32(rx_buffer, BUFFER_SIZE, 0xAAAAAAAA);

    log_info("write to sdram\r\n");
    /* Write data to the SDRAM memory */
    for (index = 0; index < BUFFER_SIZE; index++)
    {
        *(__IO uint32_t*) (SDRAM_ACCESS_BASEADD + WRITE_READ_ADDR + 4*index) = tx_buffer[index];
    }

    for(uint32_t delaytime = 0; delaytime < 10000; delaytime++);

    /* Read back data from the SDRAM memory */
    log_info("read back from sdram\r\n");
    for (index = 0; index < BUFFER_SIZE; index++)
    {
        rx_buffer[index] = *(__IO uint32_t*) (SDRAM_ACCESS_BASEADD + WRITE_READ_ADDR + 4*index);
    }

SDRAM_ACCESS_BASEADD 为 SDRAM 的访问基地址，每个字占 4 字节，回读地址与写入地址一一对应，比较结果通过 wr_status 统计。

对应源码： src/main.c、src/bsp_sdram.c

5.25.3.2 DataReadWrite_DMA SDRAM DMA 读写校验

工程目录： projects/n32h49x_EVAL/examples/SDRAM/DataReadWrite_DMA/

配置系统与 SDRAM 时钟→初始化 SDRAM 器件与时序→配置 DMA 通道与中断→启动 DMA 写入并等待完成→启动 DMA 回读并逐字比较

项目 源码解读
功能 通过 DMA 把内存缓冲区数据写入外部 SDRAM，再通过 DMA 回读到另一缓冲区；
传输完成后逐字比较，一致时串口打印通过，否则打印不一致的字数。
源码组成 src/main.c：main、Fill_Buffer_32、NVIC_Configuration、DMA_TX_IRQ_HANDLER、DMA_RX_IRQ_HANDLER；
src/bsp_sdram.c：SDRAM_RCC_Configuration、SDRAM_GPIO_Init、SDRAM_DeviceInit；
inc/main.h、inc/bsp_sdram.h、inc/n32h49x_it.h：头文件；
src/n32h49x_it.c：中断服务函数；
readme.txt：功能、环境与使用说明；
MDK-ARM/、EWARM/：Keil 与 IAR 工程。
关键配置 时钟：系统时钟 240 MHz、SDRAM 时钟 80 MHz，另使能 DMA 时钟；
引脚：SDRAM 信号引脚全部复用为 SDRAM 功能，USART1 TX PA9；
传输：DMA 字宽 32 位、外设与内存地址均自增、普通模式、高优先级、存储器到存储器模式，并配置传输完成中断。
程序与数据路径 main 先做 SDRAM 时钟、引脚与器件初始化，再使能 DMA 时钟并配置两个通道；
DMA 写通道把 tx_buffer 搬到 SDRAM，读通道把 SDRAM 搬回 rx_buffer；
两个通道的传输完成中断分别置位 TX_TransferCompleteFlag、RX_TransferCompleteFlag，main 等待标志后逐字比较。
主要 API SDRAM_ConfigSampleDelay、SDRAM_ConfigurationInit、SDRAM_OperationInit
验证方法 编译下载复位运行后，从 USART1（TX PA9、波特率 115200）观察打印；
回读与写入一致时打印 sdram test DMA pass，否则打印失败计数。
使用提示 硬件平台为全功能板 N32H497ZGL7_EVB V1.0；
开发环境为 KEIL MDK-ARM 5.34 或 IAR EWARM 8.50.1；
存储器到存储器传输需要调用 DMA_RequestRemap 配置保留的请求映射；
SDRAM 型号为 M12L64164A（1M×16bit×4Bank，4096 行×256 列）。
核心代码解读与移植

示例沿用 SDRAM 的时钟、引脚与器件初始化，额外配置两个 DMA 通道，用写通道把缓冲区写入 SDRAM、读通道把 SDRAM 搬回内存，最后由中断标志驱动比较。

数据路径： SDRAM_RCC_Configuration、SDRAM_GPIO_Init、SDRAM_DeviceInit 完成 SDRAM 初始化 → NVIC_Configuration 使能两个 DMA 通道中断 → main 配置并启动 DMA 写通道与读通道 → 传输完成中断置位标志 → main 比较缓冲区

1. 初始化 SDRAM。 与 DataReadWrite 示例一致，先使能 GPIO 与 SDRAM 时钟、把信号引脚设为复用，再写入器件地址、时序与配置并执行上电序列。

src/bsp_sdram.csrc/bsp_sdram.c · SDRAM_DeviceInit
     /* Set SDRAM address: BaseAddr = 0x98000000, AddrMask = 0xFFFFFFFF-(SDRAMSIZI-1)*/
    SDRAM_SetDeviceAddress(SDRAM_DEVICE_1, 0x98000000, 0xFF800000);//AddrMask=0xFFFFFFFF-(8Mbyte-1)
    /* Set SDRAM Refresh Interval=(Refresh Period / Number of Rows / Mem clock Period)*/
    SDRAM_RefreshIntervalInit(0x4A0);//64000000ns/4096rows/(1/80M=12.5)ns =0x4E2,whichever is smaller

    /* Set SDRAM Timing registers*/
    /* Needs to be consistent with SDRAM device characteristics */
    SDRAM_Timing.RowActiveTime       = 0x7;
    SDRAM_Timing.RowCycleTime        = 0x9;
    SDRAM_Timing.RowActToRowActDelay = 0x3;
    SDRAM_Timing.PrechargeTime       = 0x4;
    SDRAM_Timing.WriteRecoveryTime   = 0x3;
    SDRAM_Timing.RefreshCycleTime    = 0x9;
    SDRAM_Timing.RAStoCASDelay       = 0x4;
    SDRAM_TimingInit(&SDRAM_Timing);

移植时保持地址掩码与器件容量一致，时序数值与颗粒手册一致。

2. 配置 DMA 通道。 main 使能 DMA 时钟并配置两个通道：写通道以外设为目的、读通道以外设为源，均按 32 位字传输。

src/main.csrc/main.c · main
    /* Enable DMA x clock */
    RCC_EnableAHBPeriphClk(DMA_CLK, ENABLE);
    /* NVIC configuration */
    NVIC_Configuration();

    /* Fill the buffer to write */
    Fill_Buffer_32(tx_buffer, BUFFER_SIZE, 0xA244250F);

    /* Fill the Read buffer */
    Fill_Buffer_32(rx_buffer, BUFFER_SIZE, 0xAAAAAAAA);

    /* DMA x channel y configuration */
    DMA_DeInit(DMA_TX_CHANNEL_USED);
    DMA_StructInit(&DMA_InitStructure);
    DMA_InitStructure.PeriphAddr     = (uint32_t)SDRAM_ACCESS_BASEADD;
    DMA_InitStructure.MemAddr        = (uint32_t)tx_buffer;
    DMA_InitStructure.Direction      = DMA_DIR_PERIPH_DST;
    DMA_InitStructure.BufSize        = BUFFER_SIZE;
    DMA_InitStructure.PeriphInc      = DMA_PERIPH_INC_ENABLE;
    DMA_InitStructure.MemoryInc      = DMA_MEM_INC_ENABLE;
    DMA_InitStructure.PeriphDataSize = DMA_PERIPH_DATA_WIDTH_WORD;
    DMA_InitStructure.MemDataSize    = DMA_MEM_DATA_WIDTH_WORD;
    DMA_InitStructure.CircularMode   = DMA_MODE_NORMAL;
    DMA_InitStructure.Priority       = DMA_PRIORITY_HIGH;
    DMA_InitStructure.Mem2Mem        = DMA_M2M_ENABLE;
    DMA_Init(DMA_TX_CHANNEL_USED, &DMA_InitStructure);

写通道把外设地址设为 SDRAM 基地址、内存地址设为 tx_buffer；读通道只需改方向与外设、内存地址即可复用同一套参数。

3. 启动传输并等待完成。 使能传输完成中断后，main 依次启动写通道与读通道，并分别等待两个中断标志置位。

src/main.csrc/main.c · main
    /* Enable DMA x Channel y Transfer Complete interrupt */
    DMA_ConfigInt(DMA_TX_CHANNEL_USED, DMA_INT_TXC, ENABLE);
    DMA_ConfigInt(DMA_RX_CHANNEL_USED, DMA_INT_TXC, ENABLE);

    log_info("write to sdram\r\n");
    /* Enable DMA x Channel y transfer */
    DMA_EnableChannel(DMA_TX_CHANNEL_USED, ENABLE);
    /* Wait the end of transmission */
    while (TX_TransferCompleteFlag == 0)
    {
    }

    log_info("read back from sdram\r\n");
    /* Enable DMA x Channel y transfer */
    DMA_EnableChannel(DMA_RX_CHANNEL_USED, ENABLE);
    /* Wait the end of transmission */
    while (RX_TransferCompleteFlag == 0)
    {
    }

    /* Read back SDRAM memory and check content correctness */
    for (index = 0x00; index < BUFFER_SIZE; index++)
    {
        if (rx_buffer[index] != tx_buffer[index])
        {
            wr_status++;
        }
    }

传输完成标志在 DMA_TX_IRQ_HANDLER、DMA_RX_IRQ_HANDLER 中置位，等待循环依赖中断回调，移植时要确保对应中断向量已使能。

对应源码： src/main.c、src/bsp_sdram.c

5.25.4 注意与排障

场景 检查与建议 来源
SDRAM 时钟频率 AHB 总线域最高 240 MHz，fSDRAM_CLK 最高 120 MHz；
当 fSDRAM_CLK 大于 80 MHz 时可按需配置 AFIO_ANAEN_CFG4.CLKINVEN 把时钟取反，并提高引脚驱动能力。		 用户手册
上电初始化的电源稳定阶段 复位后 CKE 为高、DQM 为高、其余引脚处于非活动状态，须确保该状态至少保持 200 µs 后再进入下一步。 用户手册
突发长度与 CAS 延迟一致性 突发长度等于 64 除以存储器总线宽度；
SDRAM_CFGx 与设备模式寄存器须设置为相同的突发长度，CAS 延迟设置也必须与设备模式寄存器一致。		 用户手册
片选地址范围 不要把基地址与地址掩码编程为使片选地址范围与其他 SDRAM 器件重叠的值，重叠区域访问会导致错误操作。 用户手册
刷新间隔寄存器设置 刷新间隔等于刷新周期除以行数再除以内存时钟周期，建议取略低于计算值的余量；
两个器件刷新周期要求不同时取较小值。		 用户手册
SDRAM 挂起序列 访问期间不要禁用 SDRAM 器件；
须先清 SDRAMEN 位并等待至少 32 个存储器时钟周期，再刷新写缓冲区并使读缓冲区失效。		 用户手册
SDRAM 唤醒序列 须满足最小自刷新时间后退出自刷新，至少发出一个 NOP 命令；
并向所有连接的器件至少发出一个自动刷新命令。		 用户手册
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