5.14 Flash 使用说明

本章说明 N32H49x 标准外设库中 Flash 驱动的文件组成、55 个公开函数，以及 DualBankSwap、Flash_Program、Flash_Row_Program、OptionByte_Config、Run_In_CCM、SingleBankRemap 6 个示例。读等待周期、编程与擦除解锁、选项字节、写保护与双 Bank 等机制请配合用户手册的“存储器和总线架构”章节阅读。

5.14.1 相关文件

相对路径	作用
`firmware/n32h49x_std_periph_driver/inc/n32h49x_flash.h`	定义 `FLASH_STS` 状态枚举、读保护与中断标志、选项字节、写保护页、行编程等宏，并声明 55 个公开函数
`firmware/n32h49x_std_periph_driver/src/n32h49x_flash.c`	实现上述 55 个函数：等待周期与缓存控制、编程与擦除解锁序列、页与 Bank 擦除、双字与行编程、选项字节编程与读取、标志与中断管理、CCM SRAM 控制
`projects/n32h49x_EVAL/examples/Flash/`	Flash 示例根目录，含 DualBankSwap、Flash_Program、Flash_Row_Program、OptionByte_Config、Run_In_CCM、SingleBankRemap 6 个示例
`projects/n32h49x_EVAL/examples/Flash/Flash_Program/`	该示例的工程目录组成：`MDK-ARM/`、`EWARM/`、`inc/`、`src/`、`readme.txt`
`projects/n32h49x_EVAL/bsp/`	6 个示例共用的板级支持文件：评估板 LED 定义、串口日志初始化与毫秒延时函数

5.14.2 API 参考

以下 55 个公开函数按 n32h49x_flash.h 的声明顺序分为 9 组；每个条目给出功能摘要与 n32h49x_flash.c 中该函数正上方的注释原文。

取指延迟与缓存

FLASH_SetLatency、FLASH_GetLatency、FLASH_PrefetchBufSet、FLASH_iCacheRST、FLASH_iCacheCmd、FLASH_DCacheRST、FLASH_DCacheCmd

解锁与锁定

FLASH_Unlock、FLASH_Lock、Flash_GetLockStatus、Option_Bytes_Unlock、Option_Bytes_Lock、OB_GetLockStatus

擦除

FLASH_EraseOnePage、FLASH_MassErase、FLASH_BankErase

编程

FLASH_ProgramdoubleWord、FLASH_RowProgramSet、FLASH_RowProgramAreaSet、FLASH_RowProgram

选项字节编程

FLASH_EraseOB、FLASH_ProgramOB_RRDC、FLASH_ProgramOB_U1U2、FLASH_EnWriteProtection、FLASH_ProgramOB_Data、FLASH_ProgramOB_SRAMECC、FLASH_ReadOutProtectionL1、FLASH_ReadOutProtectionL2_ENABLE

选项字节读取

FLASH_GetUserOB、FLASH_GetUser2、FLASH_GetOptionBytes_Data0、FLASH_GetOptionBytes_Data1、FLASH_GetWriteProtectionSTS、FLASH_GetReadOutProtectionSTS、FLASH_GetReadOutProtectionL2STS、FLASH_GetPrefetchBufSTS

中断与标志

FLASH_INTConfig、FLASH_GetFlagSTS、FLASH_ClearFlag、FLASH_GetSTS、FLASH_WaitForLastOpt

CCM SRAM

CCM_EnWriteProtection、CCM_GetWriteProtectionSTS、CCM_Earse_Unlock、CCM_EarseEN、CCM_EarseSTS、CCM_ModeSet

解密与 UID

XSPI_DESRangeSet、FEMC_DESRangeSet、RTP_DESKeySet、GetRTP_DESKeyWnum、Jtag_SealSet、XSPI_FEMC_DESSet、Get_XFUID、Get_CCMUID

void FLASH_SetLatency(uint32_t FLASH_Latency)设置闪存读操作的等待周期数。

源码注释

name    FLASH_SetLatency
fun     Sets the code latency value.
param   FLASH_Latency :(The input parameters must be the following values)
            - FLASH_LATENCY_0    FLASH Zero Latency cycle, 0 < SYSCLK <= 48MHz
            - FLASH_LATENCY_1    FLASH One Latency cycle, 48MHz < SYSCLK<= 96MHz
            - FLASH_LATENCY_2    FLASH Two Latency cycle, 96MHz < SYSCLK<= 144MHz
            - FLASH_LATENCY_3    FLASH Three Latency cycle,144MHz < SYSCLK<= 192MHz
            - FLASH_LATENCY_4    FLASH Four Latency cycle, 192MHz < SYSCLK<= 240MHz
return  none
note    The larger the latency, the longer the flash read operation will take.
        If not necessary, it is recommended to use a smaller latency.

uint8_t FLASH_GetLatency(void)获取闪存读操作的当前等待周期数。

源码注释

name    FLASH_GetLatency
fun     Get the code latency value.
param   none
return  FLASH_LATENCY :(The input parameters must be the following values)
            - FLASH_LATENCY_0    FLASH Zero Latency cycle, 0 < SYSCLK <= 48MHz
            - FLASH_LATENCY_1    FLASH One Latency cycle, 48MHz < SYSCLK<= 96MHz
            - FLASH_LATENCY_2    FLASH Two Latency cycle, 96MHz < SYSCLK<= 144MHz
            - FLASH_LATENCY_3    FLASH Three Latency cycle,144MHz < SYSCLK<= 192MHz
            - FLASH_LATENCY_4    FLASH Four Latency cycle, 192MHz < SYSCLK<= 240MHz

void FLASH_PrefetchBufSet(uint32_t FLASH_PrefetchBuf)使能或禁止预取缓冲区。

源码注释

name    FLASH_PrefetchBufSet
fun     Enables or disables the Prefetch Buffer.
param   FLASH_PrefetchBuf:(The input parameters must be the following values)
            - FLASH_PrefetchBuf_EN
            - FLASH_PrefetchBuf_DIS
return  none
note  Prefetch feature must be disabled for this bit.

void FLASH_iCacheRST(uint32_t Bank)复位指令缓存（iCache）。

源码注释

name    FLASH_iCacheRST
fun     ICache Reset.
param   Bank:(The input parameters must be the following values)
            - FLASH_BANK1
            - FLASH_BANK2
return  none

void FLASH_iCacheCmd(uint32_t Bank, uint32_t FLASH_iCache)使能或禁止指令缓存（iCache）。

源码注释

name    FLASH_iCacheCmd
fun     Enables or disables the iCache.
param   Bank:(The input parameters must be the following values)
            - FLASH_BANK1
            - FLASH_BANK2
param   FLASH_iCache:(The input parameters must be the following values)
            - FLASH_iCache_EN FLASH iCache Enable
            - FLASH_iCache_DIS FLASH iCache Disable
return  none

void FLASH_DCacheRST(void)复位数据缓存（DCache）。

源码注释

name    FLASH_DCacheRST
fun     DCache Reset.
param   none
return  none

void FLASH_DCacheCmd(uint32_t FLASH_DCache)使能或禁止数据缓存（DCache）。

源码注释

name    FLASH_DCacheCmd
fun     Enables or disables the DCache.
param   FLASH_DCache:(The input parameters must be the following values)
            - FLASH_DCache_EN FLASH DCache Enable
            - FLASH_DCache_DIS FLASH DCache Disable
return  none
note

void FLASH_Unlock(void)解锁 Flash 编程/擦除控制器。

源码注释

name   FLASH_Unlock
fun    Unlocks the FLASH Program Erase Controller.
param  none
return none

void FLASH_Lock(void)锁定 Flash 编程/擦除控制器。

源码注释

name   FLASH_Lock
fun    Locks the FLASH Program Erase Controller.
param  none
return none

FlagStatus Flash_GetLockStatus(void)获取 Flash 编程/擦除控制器的锁定状态。

源码注释

name   Flash_GetLockStatus
fun    Get the Flash lock status.
param  none
return FlagStatus :
            - SET     FLASH is in Lock state
            - RESET   FLASH is in Unlock state

void Option_Bytes_Unlock(void)解锁选项字节编程/擦除控制器。

源码注释

name   Option_Bytes_Unlock
fun    Unlocks the Option_Bytes Program Erase Controller.
param  none
return none

void Option_Bytes_Lock(void)锁定选项字节编程/擦除控制器。

源码注释

name   Option_Bytes_Lock
fun    Locks the Option_Bytes Program Erase Controller.
param  none
return none

FlagStatus OB_GetLockStatus(void)获取选项字节编程/擦除控制器的锁定状态。

源码注释

name   OB_GetLockStatus
fun    Get the Option Bytes lock status.
param  none
return FlagStatus :
            - SET     Option byte is in Lock state
            - RESET   Option byte is in Unlock state

FLASH_STS FLASH_EraseOnePage(uint32_t Page_Address)擦除指定的主存储区 Flash 页。

源码注释

name   FLASH_EraseOnePage
fun    Erases a specified main FLASH page.
param  Page_Address :(The input parameters must be the following values)
            - it ranges from 0x08000000 to 0x080FFFFF
return FLASH_STS :
            - FLASH_BUSY     FLASH is busy
            - FLASH_ERR_PG   FLASH programming error
            - FLASH_ERR_WRP  FLASH Write protected error
            - FLASH_EOP      FLASH End of Operation
            - FLASH_TIMEOUT  FLASH operation timeout
            - FLASH_ERR_PV   Programmer Verification Error
            - FLASH_ERR_EV   Erase Verification Error
            - FLASH_ERR_ADD  FLASH address error
note    If FLASH is in single bank mode,Page_Address must be a multiple of 0x4000;
        If FLASH is in dual bank mode,Page_Address must be a multiple of 0x2000.

FLASH_STS FLASH_MassErase(void)擦除主存储区的全部页面（整片擦除）。

源码注释

name   FLASH_MassErase
fun    Erases all main FLASH pages.
param  none
return FLASH_STS :
            - FLASH_BUSY     FLASH is busy
            - FLASH_ERR_PG   FLASH programming error
            - FLASH_ERR_WRP  FLASH Write protected error
            - FLASH_EOP      FLASH End of Operation
            - FLASH_TIMEOUT  FLASH operation timeout
            - FLASH_ERR_PV   Programmer Verification Error
            - FLASH_ERR_EV   Erase Verification Error
            - FLASH_ERR_RPADD   FLASH Row programmer address error

FLASH_STS FLASH_BankErase(uint32_t Bank)擦除指定 Bank 主存储区的全部页面。

源码注释

name   FLASH_BankErase
fun    Erases Bank's all main FLASH pages.
param   Bank:(The input parameters must be the following values)
            - FLASH_BANK1
            - FLASH_BANK2
return FLASH_STS :
            - FLASH_BUSY     FLASH is busy
            - FLASH_ERR_PG   FLASH programming error
            - FLASH_ERR_WRP  FLASH Write protected error
            - FLASH_EOP      FLASH End of Operation
            - FLASH_TIMEOUT  FLASH operation timeout
            - FLASH_ERR_PV   Programmer Verification Error
            - FLASH_ERR_EV   Erase Verification Error
            - FLASH_ERR_RPADD   FLASH Row programmer address error

FLASH_STS FLASH_ProgramdoubleWord(uint32_t address, uint32_t data0,uint32_t data1)在指定地址编程两个 32 位字（双字）。

源码注释

name   FLASH_ProgramdoubleWord
fun    Programs two words at a specified address.
param  address :(The input parameters must be the following values)
            - main flash, it ranges from 0x08000000 to 0x080FFFFF, it must be a multiple of 0x08
param  data0 :(The input parameters must be the following values)
            - It ranges from 0x00000000 to 0xFFFFFFFF
param  data1 :(The input parameters must be the following values)
            - It ranges from 0x00000000 to 0xFFFFFFFF
return FLASH_STS :
            - FLASH_BUSY     FLASH is busy
            - FLASH_ERR_PG   FLASH programming error
            - FLASH_ERR_WRP  FLASH Write protected error
            - FLASH_EOP      FLASH End of Operation
            - FLASH_ERR_PV   Programmer Verification Error
            - FLASH_ERR_EV   Erase Verification Error
            - FLASH_ERR_ADD  FLASH address error
            - FLASH_ERR_RPADD   FLASH Row programmer address error
            - FLASH_TIMEOUT  FLASH operation timeout

void FLASH_RowProgramSet(FunctionalState Cmd)使能或禁止行编程器。

源码注释

name   FLASH_RowProgramSet
fun    Enables or disables row programmer.
param  Cmd :(The input parameters must be the following values)
            - ENABLE  Enable Row programmer
            - DISABLE Disable Row programmer
return none

void FLASH_RowProgramAreaSet(FunctionalState Cmd)配置行编程器的操作区域。

源码注释

name   FLASH_RowProgramAreaSet
fun    Configure row programmer area.
param  Cmd :(The input parameters must be the following values)
            - ENABLE  Row programmer in system memory
            - DISABLE Row programmer in main flash
return none

FLASH_STS FLASH_RowProgram(uint32_t address, uint32_t row_num, uint32_t *data)在指定地址连续编程 x 个字。

源码注释

name   FLASH_RowProgram
fun    Programs x words at a specified address.
param  address :(The input parameters must be the following values)
            - main flash, it ranges from 0x08000000 to 0x080FFFFF, it must be a multiple of 0x08
param  row_num :(The input parameters must be the following values)
            - It ranges from 0x02 to 0x10,it must be a multiple of 0x02
param  data[] :(The input parameters must be the following values)
            - It ranges from 0x00000000 to 0xFFFFFFFF
return FLASH_STS :
            - FLASH_BUSY        FLASH is busy
            - FLASH_ERR_PG      FLASH programming error
            - FLASH_ERR_WRP     FLASH Write protected error
            - FLASH_EOP         FLASH End of Operation
            - FLASH_ERR_PV      Programmer Verification Error
            - FLASH_ERR_EV      Erase Verification Error
            - FLASH_ERR_ADD     FLASH address error
            - FLASH_ERR_RPADD   FLASH Row programmer address error
            - FLASH_TIMEOUT     FLASH operation timeout
            - FLASH_ERR_RPADD   FLASH Row programmer address error
note Row programming cannot span 512 bytes.

FLASH_STS FLASH_EraseOB(void)擦除 Flash 选项字节。

源码注释

name   FLASH_EraseOB
fun    Erases the FLASH option bytes.
param  none
return FLASH_STS :
            - FLASH_BUSY     FLASH is busy
            - FLASH_ERR_PG   FLASH programming error
            - FLASH_ERR_WRP  FLASH Write protected error
            - FLASH_EOP      FLASH End of Operation
            - FLASH_ERR_PV   Programmer Verification Error
            - FLASH_ERR_EV   Erase Verification Error
            - FLASH_ERR_RDP2 FLASH is in read protection L2 status
            - FLASH_TIMEOUT  FLASH operation timeout
            - FLASH_ERR_RPADD   FLASH Row programmer address error

FLASH_STS FLASH_ProgramOB_RRDC(uint32_t option_byte_rpd1, uint32_t option_byte_rpd2, \ uint32_t option_byte_DBANK,uint32_t option_byte_CCMSRAM)

编程选项字节 RDP1、RDP2、DBANK 与 CCMSRAM_RST 位。

源码注释

name   FLASH_ProgramOB_RRDC
fun    Programs the Option Byte: RDP1/RDP2/DBANK/CCMSRAM_RST.
param  option_byte_rpd1 :(The input parameters must be the following values)
            - FLASH_OB_RDP1_ENABLE   Enable read protection L1
            - FLASH_OB_RDP1_DISABLE  Disable read protection L1
param  option_byte_rpd2 :(The input parameters must be the following values)
            - FLASH_OB_RDP2_ENABLE   Enable read protection L2
            - FLASH_OB_RDP2_DISABLE  Disable read protection L2
param  option_byte_DBANK :(The input parameters must be the following values)
            - FLASH_SINGLE_BANK      Single Bank Mode
            - FLASH_DUAL_BANK        Dual Bank Mode
param  option_byte_CCMSRAM :(The input parameters must be the following values)
            - CCMSRAM_RST_NERASE   CCMSRAM reset not erase
            - CCMSRAM_RST_ERASE    CCMSRAM reset erase
return FLASH_STS :
            - FLASH_BUSY     FLASH is busy
            - FLASH_ERR_PG   FLASH programming error
            - FLASH_ERR_WRP  FLASH Write protected error
            - FLASH_EOP      FLASH End of Operation
            - FLASH_ERR_PV   Programmer Verification Error
            - FLASH_ERR_EV   Erase Verification Error
            - FLASH_ERR_RDP2 FLASH is in read protection L2 status
            - FLASH_TIMEOUT  FLASH operation timeout
            - FLASH_ERR_RPADD   FLASH Row programmer address error

FLASH_STS FLASH_ProgramOB_U1U2(uint32_t option_byte_iwdg, uint32_t option_byte_stop,\ uint32_t option_byte_stdby, uint32_t option_byte_iwdg_stop, uint32_t option_byte_iwdg_stdby,\ uint32_t option_byte_iwdg_sleep,uint32_t option_byte2_nBOOT0, uint32_t option_byte2_nBOOT1,\ uint32_t option_byte2_nSWBOOT0, uint32_t option_byte2_FlashBoot,uint32_t option_byte2_DAC,\ uint32_t option_byte2_BOR)

编程选项字节 USER 与 USER2 位。

源码注释

name   FLASH_ProgramOB_U1U2
fun    Programs the Option Byte: USER/USER2.
param  option_byte_iwdg :(The input parameters must be the following values)
            - FLASH_OB_IWDG_SOFTWARE Software IWDG selected
            - FLASH_OB_IWDG_HARDWARE Hardware IWDG selected
param  option_byte_stop :(The input parameters must be the following values)
            - FLASH_OB_STOP_NORST No reset generated when entering in STOP
            - FLASH_OB_STOP_RST Reset generated when entering in STOP
param  option_byte_stdby :(The input parameters must be the following values)
            - FLASH_OB_STDBY_NORST No reset generated when entering in standby
            - FLASH_OB_STDBY_RST Reset generated when entering in standby
param  option_byte_iwdg_stop :(The input parameters must be the following values)
            - FLASH_OB_IWDG_STOP_FRZ IWDG freeze in stop
            - FLASH_OB_IWDG_STOP_NOFRZ Default no freeze
param  option_byte_iwdg_stdby :(The input parameters must be the following values)
            - FLASH_OB_IWDG_STDBY_FRZ IWDG freeze in standby
            - FLASH_OB_IWDG_STDBY_NOFRZ Default no freeze
param  option_byte_iwdg_sleep :(The input parameters must be the following values)
            - FLASH_OB_IWDG_SLEEP_FRZ IWDG freeze in sleep
            - FLASH_OB_IWDG_SLEEP_NOFRZ Default no freeze
param   option_byte2_nBOOT0 :(The input parameters must be the following values)
            - FLASH_OB2_NBOOT0_SET Set nBOOT0
            - FLASH_OB2_NBOOT0_CLR Clear nBOOT0
param   option_byte2_nBOOT1 :(The input parameters must be the following values)
            - FLASH_OB2_NBOOT1_SET Set nBOOT1
            - FLASH_OB2_NBOOT1_CLR Clear nBOOT1
param   option_byte2_nSWBOOT0 :(The input parameters must be the following values)
            - FLASH_OB2_NSWBOOT0_SET Set nSWBOOT0
            - FLASH_OB2_NSWBOOT0_CLR Clear nSWBOOT0
param   option_byte2_FlashBoot :(The input parameters must be the following values)
            - FLASH_OB2_FLASHBOOT_SET Main flash forward section boot
            - FLASH_OB2_FLASHBOOT_CLR Main flash back part boot
param   option_byte2_DAC :(The input parameters must be the following values)
            - FLASH_OB2_DAC_SET System reset, DAC voltage value maintained
            - FLASH_OB2_DAC_CLR System reset, DAC voltage value not maintained
param   option_byte2_BOR :(The input parameters must be the following values)
            - BOR_LEVEL_1_6V Reset level threshold 1.6V (Up 1.66V / Down 1.62V)
            - BOR_LEVEL_2_0V Reset level threshold 2.0V (Up 2.1V / Down 2.0V)
            - BOR_LEVEL_2_2V Reset level threshold 2.2V (Up 2.3V / Down 2.2V)
            - BOR_LEVEL_2_5V Reset level threshold 2.5V (Up 2.6V / Down 2.5V)
            - BOR_LEVEL_2_8V Reset level threshold 2.8V (Up 2.9V / Down 2.8V)
return FLASH_STS :
            - FLASH_BUSY     FLASH is busy
            - FLASH_ERR_PG   FLASH programming error
            - FLASH_ERR_WRP  FLASH Write protected error
            - FLASH_EOP      FLASH End of Operation
            - FLASH_ERR_PV   Programmer Verification Error
            - FLASH_ERR_EV   Erase Verification Error
            - FLASH_ERR_RDP2 FLASH is in read protection L2 status
            - FLASH_TIMEOUT  FLASH operation timeout
            - FLASH_ERR_RPADD   FLASH Row programmer address error

FLASH_STS FLASH_EnWriteProtection(uint32_t FLASH_Pages)对指定的页使能写保护。

源码注释

name   FLASH_EnWriteProtection
fun    Write protects the desired pages.
param  FLASH_Pages :(The input parameters must be the following values)
            - FLASH_WRP_NUM0   Single Bank: page 0 to 1  , Dual Banke: page 0   to 3
            - FLASH_WRP_NUM1   Single Bank: page 2 to 3  , Dual Banke: page 4   to 7
            - FLASH_WRP_NUM2   Single Bank: page 4 to 5  , Dual Banke: page 8   to 11
            - FLASH_WRP_NUM3   Single Bank: page 6 to 7  , Dual Banke: page 12  to 15
            - FLASH_WRP_NUM4   Single Bank: page 8 to 9  , Dual Banke: page 16  to 19
            - FLASH_WRP_NUM5   Single Bank: page 10 to 11, Dual Banke: page 20  to 23
            - FLASH_WRP_NUM6   Single Bank: page 12 to 13, Dual Banke: page 24  to 27
            - FLASH_WRP_NUM7   Single Bank: page 14 to 15, Dual Banke: page 28  to 31
            - FLASH_WRP_NUM8   Single Bank: page 16 to 17, Dual Banke: page 32  to 35
            - FLASH_WRP_NUM9   Single Bank: page 18 to 19, Dual Banke: page 36  to 39
            - FLASH_WRP_NUM10  Single Bank: page 20 to 21, Dual Banke: page 40  to 43
            - FLASH_WRP_NUM11  Single Bank: page 22 to 23, Dual Banke: page 44  to 47
            - FLASH_WRP_NUM12  Single Bank: page 24 to 25, Dual Banke: page 48  to 51
            - FLASH_WRP_NUM13  Single Bank: page 26 to 27, Dual Banke: page 52  to 55
            - FLASH_WRP_NUM14  Single Bank: page 28 to 29, Dual Banke: page 56  to 59
            - FLASH_WRP_NUM15  Single Bank: page 30 to 31, Dual Banke: page 60  to 63
            - FLASH_WRP_NUM16  Single Bank: page 32 to 33, Dual Banke: page 64  to 67
            - FLASH_WRP_NUM17  Single Bank: page 34 to 35, Dual Banke: page 68  to 71
            - FLASH_WRP_NUM18  Single Bank: page 36 to 37, Dual Banke: page 72  to 75
            - FLASH_WRP_NUM19  Single Bank: page 38 to 39, Dual Banke: page 76  to 79
            - FLASH_WRP_NUM20  Single Bank: page 40 to 41, Dual Banke: page 80  to 83
            - FLASH_WRP_NUM21  Single Bank: page 42 to 43, Dual Banke: page 84  to 87
            - FLASH_WRP_NUM22  Single Bank: page 44 to 45, Dual Banke: page 88  to 91
            - FLASH_WRP_NUM23  Single Bank: page 46 to 47, Dual Banke: page 92  to 95
            - FLASH_WRP_NUM24  Single Bank: page 48 to 49, Dual Banke: page 96  to 99
            - FLASH_WRP_NUM25  Single Bank: page 50 to 51, Dual Banke: page 100 to 103
            - FLASH_WRP_NUM26  Single Bank: page 52 to 53, Dual Banke: page 104 to 107
            - FLASH_WRP_NUM27  Single Bank: page 54 to 55, Dual Banke: page 108 to 111
            - FLASH_WRP_NUM28  Single Bank: page 56 to 57, Dual Banke: page 112 to 115
            - FLASH_WRP_NUM29  Single Bank: page 58 to 59, Dual Banke: page 116 to 119
            - FLASH_WRP_NUM30  Single Bank: page 60 to 61, Dual Banke: page 120 to 123
            - FLASH_WRP_NUM31  Single Bank: page 62 to 63, Dual Banke: page 124 to 127
            - FLASH_WRP_AllPages      all Pages
            - ~FLASH_WRP_AllPages     Disable Write protection of all Pages
return FLASH_STS :
            - FLASH_BUSY     FLASH is busy
            - FLASH_ERR_PG   FLASH programming error
            - FLASH_ERR_WRP  FLASH Write protected error
            - FLASH_EOP      FLASH End of Operation
            - FLASH_ERR_PV   Programmer Verification Error
            - FLASH_ERR_EV   Erase Verification Error
            - FLASH_ERR_RDP2 FLASH is in read protection L2 status
            - FLASH_TIMEOUT  FLASH operation timeout
            - FLASH_ERR_RPADD   FLASH Row programmer address error

FLASH_STS FLASH_ProgramOB_Data(uint32_t option_byte_data0, uint32_t option_byte_data1,\ uint32_t option_byte_data2, uint32_t option_byte_data3)

编程选项字节 DATA0、DATA1、DATA2 与 DATA3。

源码注释

name   FLASH_ProgramOB_Data
fun    Programs the Option Byte: DATA0/DATA1/DATA2/DATA3.
param  option_byte_data0:(The input parameters must be the following values)
            - 0x00 to 0xFF
param  option_byte_data1:(The input parameters must be the following values)
            - 0x00 to 0xFF
param  option_byte_data2:(The input parameters must be the following values)
            - 0x00 to 0xFF
param  option_byte_data3:(The input parameters must be the following values)
            - 0x00 to 0xFF
return FLASH_STS :
            - FLASH_BUSY     FLASH is busy
            - FLASH_ERR_PG   FLASH programming error
            - FLASH_ERR_WRP  FLASH Write protected error
            - FLASH_EOP      FLASH End of Operation
            - FLASH_ERR_PV   Programmer Verification Error
            - FLASH_ERR_EV   Erase Verification Error
            - FLASH_ERR_RDP2 FLASH is in read protection L2 status
            - FLASH_TIMEOUT  FLASH operation timeout
            - FLASH_ERR_RPADD   FLASH Row programmer address error

FLASH_STS FLASH_ProgramOB_SRAMECC(uint32_t option_byte_SRAM2,uint32_t option_byte_SRAM3)编程选项字节中的 SRAM2、SRAM3 ECC 使能位。

源码注释

name   FLASH_ProgramOB_SRAMECC
fun    Programs the Option Byte: SRAM2_ECC_ENABLE,SRAM3_ECC_ENABLE.
param  option_byte_SRAM2 :(The input parameters must be the following values)
            - SRAM2_ECC_ENABLE   SRAM2 ECC ENABLE
            - SRAM2_ECC_DISABLE  SRAM2 ECC DISABLE
param  option_byte_SRAM3 :(The input parameters must be the following values)
            - SRAM3_ECC_ENABLE   SRAM3 ECC ENABLE
            - SRAM3_ECC_DISABLE  SRAM3 ECC DISABLE
return FLASH_STS : (The input parameters must be the following values)
            - FLASH_BUSY     FLASH is busy
            - FLASH_ERR_PG   FLASH programming error
            - FLASH_ERR_WRP  FLASH Write protected error
            - FLASH_EOP      FLASH End of Operation
            - FLASH_ERR_PV   Programmer Verification Error
            - FLASH_ERR_EV   Erase Verification Error
            - FLASH_ERR_RDP2 FLASH is in read protection L2 status
            - FLASH_TIMEOUT  FLASH operation timeout
            - FLASH_ERR_RPADD   FLASH Row programmer address error

FLASH_STS FLASH_ReadOutProtectionL1(FunctionalState Cmd)使能或禁止读出保护 L1 等级。

源码注释

name   FLASH_ReadOutProtectionL1
fun    Enables or disables the read out protection.
param  Cmd:(The input parameters must be the following values)
            - ENABLE   Enable read protection L1
            - DISABLE  Disable read protection L1
return FLASH_STS : (The input parameters must be the following values)
            - FLASH_BUSY     FLASH is busy
            - FLASH_ERR_PG   FLASH programming error
            - FLASH_ERR_WRP  FLASH Write protected error
            - FLASH_EOP      FLASH End of Operation
            - FLASH_ERR_PV   Programmer Verification Error
            - FLASH_ERR_EV   Erase Verification Error
            - FLASH_ERR_RDP2 FLASH is in read protection L2 status
            - FLASH_TIMEOUT  FLASH operation timeout
            - FLASH_ERR_RPADD   FLASH Row programmer address error
note   If the user has already programmed the other option bytes before calling
       this function, he must re-program them since this function erases all option bytes.

FLASH_STS FLASH_ReadOutProtectionL2_ENABLE(void)使能读出保护 L2 等级。

源码注释

name   FLASH_ReadOutProtectionL2_ENABLE
fun    Enables the read out protection L2.
return FLASH_STS :
            - FLASH_BUSY     FLASH is busy
            - FLASH_ERR_PG   FLASH programming error
            - FLASH_ERR_WRP  FLASH Write protected error
            - FLASH_EOP      FLASH End of Operation
            - FLASH_ERR_PV   Programmer Verification Error
            - FLASH_ERR_EV   Erase Verification Error
            - FLASH_ERR_RDP2 FLASH is in read protection L2 status
            - FLASH_TIMEOUT  FLASH operation timeout
            - FLASH_ERR_RPADD   FLASH Row programmer address error
note   If the user has already programmed the other option bytes before calling
       this function, he must re-program them since this function erases all option bytes.

uint32_t FLASH_GetUserOB(void)读取 Flash USER 选项字节的值。

源码注释

name   FLASH_GetUserOB
fun    Returns the FLASH User Option Bytes values.
param  none
return The FLASH User Option Bytes values:IWDG_SW(Bit0), nRST_STOP(Bit1),
       nRST_STDBY(Bit2), IWDGSTOPFRZ(Bit3), IWDGSTDBYFRZ(Bit5) and IWDGSLEEPFRZ(Bit6).

FlagStatus FLASH_GetUser2(uint32_t option_byte_bit)读取 Flash USER2 选项字节指定配置位的值。

源码注释

name   FLASH_GetUser2
fun    Returns the FLASH User2 Option Bytes values.
param  option_byte_bit: (The input parameters must be the following values)
            - FLASH_OB2_NBOOT0_SET          nBOOT0 configuration bit
            - FLASH_OB2_NBOOT1_SET          nBOOT1 configuration bit
            - FLASH_OB2_NSWBOOT0_SET        nSWBOOT0 configuration bit
return FlagStatus :
            - SET      Enter this mode without resetting
            - RESET    Enter this mode reset

uint32_t FLASH_GetOptionBytes_Data0(void)读取选项字节 DATA0 的值。

源码注释

name   FLASH_GetOptionBytes_Data0
fun    Returns the FLASH User Option Bytes values.
param  none
return data0:
            - 0x00 to 0xFF.

uint32_t FLASH_GetOptionBytes_Data1(void)读取选项字节 DATA1 的值。

源码注释

name   FLASH_GetOptionBytes_Data1
fun    Returns the FLASH User Option Bytes values.
param  none
return data1:
            - 0x00 to 0xFF.

uint32_t FLASH_GetWriteProtectionSTS(void)读取 Flash 写保护选项字节寄存器的值。

源码注释

name   FLASH_GetWriteProtectionSTS
fun    Returns the FLASH Write Protection Option Bytes Register value.
param  none
return The FLASH Write Protection  Option Bytes Register value :
            - Bit31 - Bit0 write-protects dual bank: pages (62~63) - page (0~1)

FlagStatus FLASH_GetReadOutProtectionSTS(void)查询 Flash 读出保护 L1 是否已使能。

源码注释

name   FLASH_GetReadOutProtectionSTS
fun    Checks whether the FLASH Read Out Protection L1 status_value is set or not.
param  none
return FlagStatus :
        - SET    Read protection L1 enable
        - RESET  Read protection L1 disable

FlagStatus FLASH_GetReadOutProtectionL2STS(void)查询 Flash 读出保护 L2 是否已使能。

源码注释

name   FLASH_GetReadOutProtectionL2STS
fun    Checks whether the FLASH Read Out Protection L2 status_value is set or not.
param  none
return FlagStatus :
        - SET    Read protection L2 enable
        - RESET  Read protection L2 disable

FlagStatus FLASH_GetPrefetchBufSTS(void)查询 Flash 预取缓冲区当前是否使能。

源码注释

name   FLASH_GetPrefetchBufSTS
fun    Checks whether the FLASH Prefetch Buffer status_value is set or not.
param  none
return FlagStatus :
        - SET    Flash prefetch buffer enable
        - RESET  Flash prefetch buffer disable

void FLASH_INTConfig(uint32_t FLASH_INT, FunctionalState Cmd)使能或禁止指定的 Flash 中断源。

源码注释

name   FLASH_INTConfig
fun    Enables or disables the specified FLASH interrupts.
param  Cmd:(The input parameters must be the following values)
            - ENABLE
            - DISABLE
param  FLASH_INT :
            - FLASH_INT_EOP      FLASH end of operation Interrupt
            - FLASH_INT_ERR      PGERR WRPERR ERROR interrupt source
            - FLASH_INT_FERR     EVERR PVERR ERROR interrupt source
            - FLASH_INT_ECC1     1 bit ECC error interrupt source
            - FLASH_INT_JS       jtag seal error interrupt source
            - FLASH_INT_ECC2     2 bit ECC error interrupt source
            - FLASH_INT_DECC     XSPI/FEMC decryption misconfiguration interrupt source
            - FLASH_INT_RPADD    Row programmer address error interrupt source
            - FLASH_INT_BANKEX   BANK exchange error interrupt Enable
return none

FlagStatus FLASH_GetFlagSTS(uint32_t FLASH_FLAG)查询指定的 Flash 标志位是否置位。

源码注释

name   FLASH_GetFlagSTS
fun    Checks whether the specified FLASH flag is set or not.
param  FLASH_FLAG :(The input parameters must be the following values)
            - FLASH_FLAG_EOP        FLASH End of Operation flag
            - FLASH_FLAG_BUSY       FLASH Busy flag
            - FLASH_FLAG_PGERR      FLASH Program error flag
            - FLASH_FLAG_WRPERR     FLASH Write protected error flag
            - FLASH_FLAG_PVERR      FLASH Program Verify ERROR flag
            - FLASH_FLAG_EVERR      FLASH Erase Verify ERROR flag
            - FLASH_FLAG_ECC1ERR    FLASH 1 bit ECC ERROR flag
            - FLASH_FLAG_RDKEYERR   read key error flag
            - FLASH_FLAG_RDXKEYERR  xKEY match error flag
            - FLASH_FLAG_NRDXKEYEN  Not allowed to read RTPD_KEY enable flag
            - FLASH_FLAG_JSERR      JTAG/SRAM access JTAG_SEAL error flag
            - FLASH_FLAG_RTPKEYERR  read RTPD_KEY error flag
            - FLASH_FLAG_ECC2ERR    FLASH 2 bit ECC error flag
            - FLASH_FLAG_DECCRDF    XSPI/FEMC Decryption Configuration Completion Flag
            - FLASH_FLAG_DECCERR    XSPI/FEMC Decryption Configuration sequences error Flag
            - FLASH_FLAG_FWORDF     first word write completion flag
            - FLASH_FLAG_RPADDERR   row programmmer address error
            - FLASH_FLAG_BANKEXERR  BANK exchange error
            - FLASH_FLAG_BANKMODE   BANK mode
            - FLASH_FLAG_OBERR      FLASH Option Byte error flag
return bitstatus :
        - SET
        - RESET

void FLASH_ClearFlag(uint32_t FLASH_FLAG)清除 Flash 的待处理标志。

源码注释

name   FLASH_ClearFlag
fun    Clears the FLASH's pending flags.
param  FLASH_FLAG :(The input parameters must be the following values)
            - FLASH_FLAG_EOP        FLASH End of Operation flag
            - FLASH_FLAG_PGERR      FLASH Program error flag
            - FLASH_FLAG_WRPERR     FLASH Write protected error flag
            - FLASH_FLAG_PVERR      FLASH Program Verify ERROR flag
            - FLASH_FLAG_EVERR      FLASH Erase Verify ERROR flag
            - FLASH_FLAG_ECC1ERR    FLASH 1 bit ECC ERROR flag
            - FLASH_FLAG_JSERR      JTAG/SRAM access JTAG_SEAL error flag
            - FLASH_FLAG_RTPKEYERR  read RTPD_KEY error flag
            - FLASH_FLAG_ECC2ERR    FLASH 2 bit ECC error flag
            - FLASH_FLAG_DECCRDF    XSPI/FEMC Decryption Configuration Completion Flag
            - FLASH_FLAG_DECCERR    XSPI/FEMC Decryption Configuration sequences error Flag
            - FLASH_FLAG_RPADDERR   row programmmer address error
            - FLASH_FLAG_BANKEXERR  BANK exchange error
return none

FLASH_STS FLASH_GetSTS(void)返回 Flash 当前的操作状态。

源码注释

name   FLASH_GetSTS
fun    Returns the FLASH Status.
param  none
return FLASH_STS :
            - FLASH_BUSY     FLASH is busy
            - FLASH_ERR_PG   FLASH programming error
            - FLASH_ERR_WRP  FLASH Write protected error
            - FLASH_EOP      FLASH End of Operation
            - FLASH_ERR_PV   Programmer Verification Error
            - FLASH_ERR_EV   Erase Verification Error
            - FLASH_ERR_RPADD   FLASH Row programmer address error

FLASH_STS FLASH_WaitForLastOpt(uint32_t Timeout)等待 Flash 操作完成或发生超时。

源码注释

name   FLASH_WaitForLastOpt
fun    Waits for a Flash operation to complete or a TIMEOUT to occur.
param  Timeout:(The input parameters must be the following values)
            - EraseTimeout
            - ProgramTimeout
            - RowProgramTimeout
return FLASH_STS :
            - FLASH_BUSY     FLASH is busy
            - FLASH_ERR_PG   FLASH programming error
            - FLASH_ERR_WRP  FLASH Write protected error
            - FLASH_EOP      FLASH End of Operation
            - FLASH_ERR_PV   Programmer Verification Error
            - FLASH_ERR_EV   Erase Verification Error
            - FLASH_ERR_RPADD   FLASH Row programmer address error

void CCM_EnWriteProtection(uint32_t CCM_Pages)对指定的 CCM SRAM 页使能写保护。

源码注释

name   CCM_EnWriteProtection
fun    Enables write protection CCM x page.
param  CCM_Pages:(The input parameters must be the following values)
            - Bit31 - Bit0 write-protects pages (31) - page (0)
return none

uint32_t CCM_GetWriteProtectionSTS(void)读取 CCM SRAM 写保护选项字节寄存器的值。

源码注释

name   CCM_GetWriteProtectionSTS
fun    Returns the CCM Write Protection Option Bytes Register value.
param  none
return The CCM Write Protection  Option Bytes Register value :
            - Bit31 - Bit0 write-protects pages (31) - page (0)

void CCM_Earse_Unlock(void)解锁 CCM SRAM 擦除控制器。

源码注释

name   CCM_ERASE_Unlock
fun    Unlocks the CCM Erase Controller.
param  none
return none

使用提示： 头文件第 376 行的声明为 CCM_Earse_Unlock，而源码注释的 name 字段写作 CCM_ERASE_Unlock，二者不一致。

void CCM_EarseEN(void)使能 CCM SRAM 擦除。

源码注释

name   CCM_ERASE_EN
fun    ENABLE CCM Erase.
param  none
return none

使用提示： 头文件第 377 行的声明为 CCM_EarseEN，而源码注释的 name 字段写作 CCM_ERASE_EN，二者不一致。

FlagStatus CCM_EarseSTS(void)获取 CCM SRAM 擦除状态。

源码注释

name   CCM_EarseSTS
fun    Get CCM Erase Status.
param  none
return FlagStatus :
        - SET    CCM SRAM erase operation
        - RESET  No CCM SRAM erase operation

void CCM_ModeSet(FunctionalState Cmd)使能或禁止 CCM 模式。

源码注释

name   CCM_ModeSet
fun    Enables or disables CCM mode.
param  Cmd:(The input parameters must be the following values)
            - ENABLE
            - DISABLE
return none

void XSPI_DESRangeSet(uint32_t start_add,uint32_t end_add)设置 XSPI 解密地址范围。

源码注释

name   XSPI_DESRangeSet
fun    XSPI Decryption address range setting.
param  start_add:(The input parameters must be the following values)
            - It ranges from 0x90000000 to 0x9FFFFFFF
param  end_add:(The input parameters must be the following values)
            - It ranges from 0x90000000 to 0x9FFFFFFF
return none

void FEMC_DESRangeSet(uint32_t start_add,uint32_t end_add)设置 FEMC 解密地址范围。

源码注释

name   FEMC_DESRangeSet
fun    FEMC Decryption address range setting.
param  start_add:(The input parameters must be the following values)
            - It ranges from 0x60000000 to 0x8FFFFFFF
param  end_add:(The input parameters must be the following values)
            - It ranges from 0x60000000 to 0x8FFFFFFF
return none

void RTP_DESKeySet(uint32_t* DES_key)设置 128 位 RTPD 解密密钥。

源码注释

name   RTP_DESKeySet
fun    128bit RTPD decryption key setting.
param  DES_key:(The input parameters must be the following values)
            - A 128-bit key
return none

uint32_t GetRTP_DESKeyWnum(void)获取 RTPD_KEY 的写入次数。

源码注释

name   GetRTP_DESKeyWnum
fun    get RTPD_KEY Write Count.
param  none
return CNT:
            - RTPD_KEY write cnt

void Jtag_SealSet(FunctionalState Cmd)使能或禁止 JTAG 密封（Jtag_Seal）。

源码注释

name   Jtag_SealSet
fun    Enables or disables Jtag_Seal.
param  Cmd:(The input parameters must be the following values)
            - ENABLE
            - DISABLE
return none

void XSPI_FEMC_DESSet(FunctionalState Cmd)使能或禁止 XSPI/FEMC 解密功能。

源码注释

name   XSPI_FEMC_DESSet
fun    Enables or disables XSPI/FEMC decryption.
param  Cmd:(The input parameters must be the following values)
            - ENABLE
            - DISABLE
return none

uint32_t Get_XFUID(void)获取 XSPI/FEMC 的配置 UID。

源码注释

name   Get_XFUID
fun    get XSPI/FEMC configure UID.
param  none
return UID:
            - 0x01  BOOT user
            - 0x02  FLASH user1
            - 0x04  FLASH user2
            - 0x08  FLASH user3
            - 0x10  SRAM user

uint32_t Get_CCMUID(void)获取 CCM 的配置 UID。

源码注释

name   Get_CCMUID
fun    get CCM configure UID.
param  none
return UID:
            - 0x01  BOOT user
            - 0x02  FLASH user1
            - 0x04  FLASH user2
            - 0x08  FLASH user3
            - 0x10  SRAM user

5.14.3 Demo 示例说明

本节说明 Flash 的 6 个示例：Flash_Program 演示页擦除与双字编程，Flash_Row_Program 演示行编程，OptionByte_Config 演示选项字节的擦除与编程，SingleBankRemap 演示单 Bank 模式下的启动重映射，DualBankSwap 演示双 Bank 的三种切换方式，Run_In_CCM 演示把函数代码放到 CCM SRAM 中执行。

5.14.3.1 DualBankSwap 双 Bank 切换

工程目录： projects/n32h49x_EVAL/examples/Flash/DualBankSwap/

初始化串口并打开 HSI 时钟→初始化板载 LED→检查当前 Bank 模式并要求为双 Bank→读取选项字节中的启动 Bank 与重映射 Bank→恢复上次运行的工作模式标记→主循环按串口指令以 Retry、Backup、Reload 三种方式切换 Bank→切换前点亮全部 LED 并复位或重映射

项目	源码解读
功能	演示双 Bank 模式下的三种 Bank 切换：Retry 通过重映射切换，Backup 通过改写选项字节并复位切换，Reload 组合使用重映射与选项字节改写。 MCU 工作在 Bank1 时 LED1 闪烁，工作在 Bank2 时 LED2 闪烁；发生重映射后，闪烁的 LED 对应的另一只 LED 常亮。
源码组成	`src/main.c`：`main`、`ConfigBootBank`、`SetModeMark`、`ClrModeMark`、`GetModeMark`； `inc/main.h`：`OB_BUF_ADDRESS`、`MODE_MARK_ADDR`、三种模式标记宏、LED 操作宏与 `ConfigBootBank` 声明； `src/n32h49x_it.c`、`inc/n32h49x_it.h`：中断服务函数； `readme.txt`：功能、环境与使用说明； `MDK-ARM/`、`EWARM/`：Keil 与 IAR 工程。
关键配置	示例要求双 Bank 模式（DBANK=1），单 Bank 模式下停在提示循环不执行。选项字节缓冲区 `OB_BUF_ADDRESS` 为 0x40023000，工作模式标记 `MODE_MARK_ADDR` 为 0x40023080，均位于备份 SRAM。系统时钟 240 MHz，打印串口 USART1 TX PA9、RX PA10，波特率 115200。
程序与数据路径	`main` 先 `log_init`，打开 HSI 并等待稳定，初始化 LED；读取 `FLASH_FLAG_BANKMODE` 判断 Bank 模式，再读取选项字节的启动 Bank 与 RCC 的重映射 Bank，并用两个互补标记读出上次的工作模式；主循环轮询 USART1，收到 0x55 走 Retry、0x66 走 Backup、0x77 走 Reload； Retry 与 Reload 在 `SetModeMark` 后调用 `RCC_ConfigRemapMode`、`RCC_EnableRemap`，Backup 在 `ConfigBootBank` 成功后调用 `NVIC_SystemReset`。
主要 API	`FLASH_GetFlagSTS`、`FLASH_Unlock`、`FLASH_EraseOB`、`Option_Bytes_Unlock`、`Option_Bytes_Lock`、`FLASH_ClearFlag`、`FLASH_WaitForLastOpt`、`FLASH_Lock`
验证方法	复位运行后串口打印当前 Bank 与启动地址 0x08000000；下发 0x55 观察 Retry 重映射，下发 0x66 观察 Backup 复位后从另一 Bank 启动，下发 0x77 观察 Reload 组合切换；每次切换成功时对应 LED 开始闪烁。
使用提示	启动地址始终是 0x08000000，切换的是代码实际存储位置。 Backup 与 Reload 会改写选项字节，属于 Flash 编程，运行前须保证 HSI 已打开。开发环境为 KEIL MDK-ARM V5.34 或 IAR EWARM 8.50.1。

核心代码解读与移植

示例通过重映射或改写选项字节在两只 Bank 之间切换启动代码，并用备份 SRAM 中的标记跨复位传递工作模式。

数据路径： 串口指令 → SetModeMark 写入 MODE_MARK_ADDR → RCC_ConfigRemapMode/RCC_EnableRemap 或 ConfigBootBank 改写选项字节 → NVIC_SystemReset 复位 → GetModeMark 恢复工作模式

1. 打开 HSI 并检查 Bank 模式。 Flash 编程或擦除要求 HSI 打开，示例在初始化后立即打开 HSI；随后检查 FLASH_FLAG_BANKMODE，单 Bank 模式下停在提示循环，不再执行后续切换逻辑。

src/main.csrc/main.c · main

    /* When performing Flash programming operations(write or erase), HSI must be enable*/
    RCC_EnableHsi(ENABLE);
    RCC_WaitHsiStable();
    
    /* User LED Init */
    Hardware_Board_Led_Init();
    
    /* Check current Bank mode, must be in dual Bank mode */
    if(FLASH_GetFlagSTS(FLASH_FLAG_BANKMODE) == SET)
    {
        log_info("\r\nFLASH is dual Bank mode!\r\n");
    }
    else
    {
        log_info("\r\nFLASH is single Bank mode!\r\n");
        log_info("This demo can not be used!\r\n");
        while(1)
        {
            /* Dual Bank swap demo is only used for dual Bank mode */
        }
    }

2. Retry 方式通过重映射切换。 收到 0x55 后，示例按当前工作 Bank 选择重映射目标，先写入工作模式标记，再点亮全部 LED，最后配置并启动重映射，代码存储位置随之改变但启动地址不变。

src/main.csrc/main.c · main

        if(UartCmd == 0x55U) /* Retry */
        {
            if(FLASH_BANK2 == WorkBankNum)
            {
                Value_temp = RCC_REMAP_BFLASH;
                log_info("Remap to Bank1!\r\n");
            }
            else
            {
                Value_temp = RCC_REMAP_AFLASH;
                log_info("Remap to Bank2!\r\n");
            }
            
            /* Set the mark of work mode */
            SetModeMark(RETRY_MARK);
            
            /* Turn on all LED before remap */
            ALL_BANK_LED_ON;
            systick_delay_ms(5);
            
            /* Config remap bank and remap */
            RCC_ConfigRemapMode(Value_temp);
            RCC_EnableRemap();
        }

3. 直接改写选项字节切换启动 Bank。 ConfigBootBank 先把当前选项字节读入备份 SRAM，修改 USER2 的启动 Bank 字段，再按双字为单位逐组编程；只有上一次编程返回 FLASH_EOP 才继续下一组。

src/main.csrc/main.c · ConfigBootBank

    /* Erase */
    ConfigSts = FLASH_EraseOB();
    
    /* Erase success, write the new value of option byte */
    if(FLASH_EOP == ConfigSts)
    {
        /* Unlock option byte */
        Option_Bytes_Unlock();
        
        /* Clears the FLASH's pending flags */
        FLASH_ClearFlag(FLASH_STS_CLRFLAG);
        
        /* Enables the Option Bytes Programming operation */
        FLASH->CTRL |= CTRL_Set_OPTPG;
        
        /* Option byte must be programming in the unit of double-word */
        /* Programming the 1st double word at 0x1FFF_E000 */
        OBT->RDP2_RDP1          = pBuf[0];
        OBT->CCMSRAM_RST_DBANK  = pBuf[1];
        
        /* Wait for the programming operation to complete */
        ConfigSts = FLASH_WaitForLastOpt(ProgramTimeout);
        
        /* Disable the Option Bytes Programming operation */
        FLASH->CTRL &= CTRL_Reset_OPTPG;
    }

4. 用互补标记跨复位传递工作模式。 工作模式写入 MODE_MARK_ADDR 所在备份 SRAM，写入原值与按位取反两个整数；读取时二者不互补即视为无效标记，复位后据此恢复上一次的切换方式。

src/main.csrc/main.c · SetModeMark

static void SetModeMark(uint32_t mark)
{
    uint32_t *pMark;

    pMark = (uint32_t *)MODE_MARK_ADDR;
    
    pMark[0]    = mark;
    pMark[1]    = (~mark);
}

src/main.csrc/main.c · GetModeMark

static uint32_t GetModeMark(void)
{
    uint32_t *pMark;
    uint32_t tMode;

    pMark = (uint32_t *)MODE_MARK_ADDR;
    
    tMode = pMark[0];
    if(tMode != (~pMark[1]) )
    {
        tMode = 0xFFFFFFFFU;
    }
    
    return tMode;
}

对应源码： src/main.c、inc/main.h

5.14.3.2 Flash_Program 页擦除与双字编程

工程目录： projects/n32h49x_EVAL/examples/Flash/Flash_Program/

初始化串口→解锁 Flash 编程/擦除控制器→擦除起始地址所在页→按双字步进写入整页数据→锁定控制器→按字读回并逐字比对→打印测试结果

项目	源码解读
功能	演示主存储区页的擦除与双字编程。擦除 0x08008000 起始的一页后，以 8 字节为步长把固定数据写入整页，锁定控制器后逐字读回比对，并打印测试结果。
源码组成	`src/main.c`：`main`，以及页大小与地址宏 `FLASH_PAGE_SIZE`、`FLASH_WRITE_START_ADDR`、`FLASH_WRITE_END_ADDR`； `inc/main.h`：公共头文件； `src/n32h49x_it.c`、`inc/n32h49x_it.h`：中断服务函数； `readme.txt`：功能、环境与使用说明； `MDK-ARM/`、`EWARM/`：Keil 与 IAR 工程，工程文件名为 `Flash_Program_Proj`。
关键配置	页大小 `FLASH_PAGE_SIZE` 为 0x2000（双 Bank 模式 8KB 一页）；写入区间为 0x08008000～0x08010000；写入数据固定为 0xCDEF89AB。系统时钟 240 MHz，打印串口 USART1 TX PA9、RX PA10，波特率 115200。
程序与数据路径	`main` 先 `log_init`，调用 `FLASH_Unlock`；用 `FLASH_EraseOnePage` 擦除起始地址所在页，返回非 `FLASH_EOP` 时停在错误提示；以 8 字节为步长把同一双字写入整页，返回非 `FLASH_EOP` 同样停在错误提示； `FLASH_Lock` 后以 4 字节为步长读回比对，一致时打印测试结束。
主要 API	`FLASH_Unlock`、`FLASH_EraseOnePage`、`FLASH_ProgramdoubleWord`、`FLASH_Lock`
验证方法	复位运行后串口打印 Flash Program Test Start；擦除、编程与读回比对全部通过时打印 Flash Program Test End；任一环节失败时停在对应错误提示。
使用提示	写入只支持双字，编程循环步长为 8 字节而读回步长为 4 字节。写入前必须擦除，示例擦除的是 0x08008000 起始的一页。开发环境为 KEIL MDK-ARM V5.34 或 IAR EWARM 8.50.1。

核心代码解读与移植

示例把一整页擦除后按双字编程，再逐字读回验证数据一致性。

数据路径： FLASH_Unlock → FLASH_EraseOnePage(0x08008000) → FLASH_ProgramdoubleWord 按 8 字节步进写满一页 → FLASH_Lock → 逐字读回比对 → 串口打印结果

1. 解锁并擦除起始页。 示例先解锁编程/擦除控制器，再擦除写入区间起始地址所在页；擦除结果不等于 FLASH_EOP 时停在错误提示，不再执行编程。

src/main.csrc/main.c · main

    /* Unlocks the FLASH Program Erase Controller */
    FLASH_Unlock();

    /* Erase */
    if (FLASH_EOP != FLASH_EraseOnePage(FLASH_WRITE_START_ADDR))
    {
        while(1)
        {
            printf("Flash EraseOnePage Error. Please Deal With This Error Promptly\r\n");
        }
    }

2. 按双字步进写满整页。 循环以 8 字节为步长，每次把数据 0xCDEF89AB 作为两个 32 位字写入，步长与双字编程的对齐要求一致；返回非 FLASH_EOP 时停在错误提示。

src/main.csrc/main.c · main

    /* Program */
    for (Counter_Num = 0; Counter_Num < FLASH_PAGE_SIZE; Counter_Num += 8)
    {
        if (FLASH_EOP != FLASH_ProgramdoubleWord(FLASH_WRITE_START_ADDR + Counter_Num, Erase_Data,Erase_Data))
        {
            while(1)
            {
                log_info("Flash ProgramWord Error. Please Deal With This Error Promptly\r\n");
            }
        }
    }

3. 锁定后逐字读回比对。 编程结束后锁定控制器，再以 4 字节为步长逐字读回，与写入数据不一致时打印测试失败；一致则继续打印测试结束。

src/main.csrc/main.c · main

    /* Locks the FLASH Program Erase Controller */
    FLASH_Lock();

    /* Check */
    for (Counter_Num = 0; Counter_Num < FLASH_PAGE_SIZE; Counter_Num += 4)
    {
        if (Erase_Data != (*(__IO uint32_t*)(FLASH_WRITE_START_ADDR + Counter_Num)))
        {
            printf("Flash Program Test Failed\r\n");
            break;
        }
    }

对应源码： src/main.c

5.14.3.3 Flash_Row_Program 行编程

工程目录： projects/n32h49x_EVAL/examples/Flash/Flash_Row_Program/

初始化串口→解锁 Flash 编程/擦除控制器→擦除起始页→使能行编程器并选择主存储区→按 64 字节步长用 16 字连续编程→锁定控制器→逐字读回比对并打印结果

项目	源码解读
功能	演示行编程器的连续写入能力。擦除一页后使能行编程器，以 64 字节为步长一次写入 16 个字，锁定后逐字读回比对并打印结果。
源码组成	`src/main.c`：`main` 与地址宏，以及 16 个元素的写入缓冲 `Erase_Data`； `inc/main.h`：公共头文件； `src/n32h49x_it.c`、`inc/n32h49x_it.h`：中断服务函数； `readme.txt`：功能、环境与使用说明； `MDK-ARM/`、`EWARM/`：Keil 与 IAR 工程。
关键配置	写入缓冲区 `Erase_Data[16]` 全部为 0xCDEF89AB； `FLASH_RowProgramSet(ENABLE)` 使能行编程器，`FLASH_RowProgramAreaSet(DISABLE)` 选择在主存储区操作；行编程长度参数为 0x10，即 16 个字。系统时钟 240 MHz，串口 USART1 TX PA9、RX PA10，波特率 115200。
程序与数据路径	与 Flash_Program 相同的解锁与页擦除流程；擦除后依次使能行编程器并指定主存储区；以 64 字节为步长调用 `FLASH_RowProgram`，每次写入 16 个字；锁定后以 4 字节为步长读回比对缓冲首元素。
主要 API	`FLASH_Unlock`、`FLASH_EraseOnePage`、`FLASH_RowProgramSet`、`FLASH_RowProgramAreaSet`、`FLASH_RowProgram`、`FLASH_Lock`
验证方法	复位运行后串口打印 Flash Row Program Test Start；读回比对全部通过时打印 Flash Program Test End；失败时打印 Flash Program Test Failed。
使用提示	行编程一次可写 2～16 个字且不能跨 512 字节，示例每次写 16 个字、步长 64 字节。编程地址须为 8 字节对齐，字长度须为偶数。开发环境为 KEIL MDK-ARM V5.34 或 IAR EWARM 8.50.1。

核心代码解读与移植

示例用行编程器一次写入多个连续字，缩短整页写入的编程时间。

数据路径： FLASH_Unlock → FLASH_EraseOnePage → FLASH_RowProgramSet(ENABLE)/FLASH_RowProgramAreaSet(DISABLE) → FLASH_RowProgram 按 64 字节步进写 16 字 → FLASH_Lock

1. 使能行编程器并选择主存储区。 擦除完成后，示例先使能行编程器，再把操作区域设为主存储区；FLASH_RowProgramAreaSet(DISABLE) 对应在主存储区而非系统存储区编程。

src/main.csrc/main.c · main

    /* Flash row programmer configure*/
    FLASH_RowProgramSet(ENABLE);
    FLASH_RowProgramAreaSet(DISABLE);

2. 按 64 字节步长连续编程。 循环以 64 字节为步长，每次调用 FLASH_RowProgram 写入 16 个字；单次写入不跨 512 字节，返回非 FLASH_EOP 时停在错误提示。

src/main.csrc/main.c · main

    /*Row Program */
    for (Counter_Num = 0; Counter_Num < FLASH_PAGE_SIZE; Counter_Num += 64)
    {
        if (FLASH_EOP != FLASH_RowProgram(FLASH_WRITE_START_ADDR + Counter_Num,0x10U, Erase_Data))
        {
            while(1)
            {
                log_info("Flash ProgramWord Error. Please Deal With This Error Promptly\r\n");
            }
        }
    }

3. 锁定后读回比对。 锁定控制器后，示例以 4 字节为步长读回并与缓冲首个元素比对，不一致时打印测试失败，否则继续打印测试结束。

src/main.csrc/main.c · main

    /* Locks the FLASH Program Erase Controller */
    FLASH_Lock();

    /* Check */
    for (Counter_Num = 0; Counter_Num < FLASH_PAGE_SIZE; Counter_Num += 4)
    {
        if (Erase_Data[0] != (*(__IO uint32_t*)(FLASH_WRITE_START_ADDR + Counter_Num)))
        {
            printf("Flash Program Test Failed\r\n");
            break;
        }
    }

对应源码： src/main.c

5.14.3.4 OptionByte_Config 选项字节配置

工程目录： projects/n32h49x_EVAL/examples/Flash/OptionByte_Config/

初始化串口→解锁 Flash 与选项字节控制器→擦除选项字节→依次编程读保护、写保护、数据字节与 SRAM ECC→锁定两个控制器→等待串口下发 0x55 恢复默认值

项目	源码解读
功能	演示选项字节的擦除与编程。复位后擦除选项字节并依次配置读保护、Bank 模式、USER/USER2、写保护、数据字节与 SRAM ECC，再等待串口下发 0x55 把选项字节恢复为默认值。
源码组成	`src/main.c`：`main`，包含默认配置与 0x55 恢复两段流程； `inc/main.h`：公共头文件； `src/n32h49x_it.c`、`inc/n32h49x_it.h`：中断服务函数； `readme.txt`：功能、环境与使用说明； `MDK-ARM/`、`EWARM/`：Keil 与 IAR 工程。
关键配置	默认配置为双 Bank 模式、CCM SRAM 复位不擦除、软件 IWDG、BOR 阈值 1.6V；写保护配置为 `FLASH_WRP_NUM16`（单 Bank 第 32～33 页，双 Bank 第 64～67 页）；选项字节数据写为 0x55、0x66、0x77、0xAA； SRAM2、SRAM3 ECC 使能。系统时钟 240 MHz，串口 USART1 TX PA9、RX PA10，波特率 115200。
程序与数据路径	`main` 先 `log_init`，调用 `FLASH_Unlock` 与 `Option_Bytes_Unlock`；用 `FLASH_EraseOB` 擦除选项字节，返回 `FLASH_EOP` 后依次调用 `FLASH_ProgramOB_RRDC`、`FLASH_ProgramOB_U1U2`、`FLASH_EnWriteProtection`、`FLASH_ProgramOB_Data`、`FLASH_ProgramOB_SRAMECC`；每一步用 `FLASH_EOP` 判断是否继续，全部完成后锁定两个控制器；主循环等待 USART1 收到 0x55，再以默认参数重新编程一组选项字节。
主要 API	`FLASH_Unlock`、`Option_Bytes_Unlock`、`FLASH_EraseOB`、`FLASH_ProgramOB_RRDC`、`FLASH_ProgramOB_U1U2`、`FLASH_EnWriteProtection`、`FLASH_ProgramOB_Data`、`FLASH_ProgramOB_SRAMECC`、`FLASH_Lock`、`Option_Bytes_Lock`
验证方法	复位运行后串口打印 Option Byte configure Test start；五步编程全部成功时打印 Option Byte configure OK；下发 0x55 后打印恢复默认值成功或失败。
使用提示	选项字节编程以双字为单位，先擦除再写，且需先解锁 Flash 与选项字节两个控制器。读出保护 L2、Bank 模式切换等改动需重新刷写 Flash 才完全生效。开发环境为 KEIL MDK-ARM V5.34 或 IAR EWARM 8.50.1。

核心代码解读与移植

示例演示选项字节的整组擦除与逐项编程，以及如何把选项字节恢复为默认值。

数据路径： FLASH_Unlock/Option_Bytes_Unlock → FLASH_EraseOB → FLASH_ProgramOB_RRDC 等五个编程函数 → FLASH_Lock/Option_Bytes_Lock → 串口 0x55 触发默认值恢复

1. 擦除选项字节并逐项编程。 示例先解锁两个控制器并擦除选项字节；擦除成功后按顺序编程 USER/USER2，每一步都以返回状态判断是否继续。

src/main.csrc/main.c · main

    /* Unlocks the FLASH Program Erase Controller */
    FLASH_Unlock();
    /* Unlocks the Option Byte Program Erase Controller */
    Option_Bytes_Unlock();
    /*  Erase Option Byte page */
    state_value = FLASH_EraseOB();
    
    if(state_value == FLASH_EOP)
    {

src/main.csrc/main.c · main

        if(state_value == FLASH_EOP)
        {
            /* Configure option bytes RDP2, user2 and user3 */
            state_value = FLASH_ProgramOB_U1U2(FLASH_OB_IWDG_SOFTWARE,FLASH_OB_STOP_NORST,FLASH_OB_STDBY_NORST,\
                                                FLASH_OB_IWDG_STOP_NOFRZ,FLASH_OB_IWDG_STDBY_NOFRZ,FLASH_OB_IWDG_SLEEP_NOFRZ,\
                                                FLASH_OB2_NBOOT0_SET,FLASH_OB2_NBOOT1_SET,FLASH_OB2_NSWBOOT0_SET,\
                                                FLASH_OB2_FLASHBOOT_SET,FLASH_OB2_DAC_SET,BOR_LEVEL_1_6V);
        }

2. 编程写保护、数据字节与 SRAM ECC。 同一层级的后续三步分别配置写保护页、选项字节数据与 SRAM2、SRAM3 的 ECC 使能位，写法与前一步一致，失败时进入空分支不处理。

src/main.csrc/main.c · main

        if(state_value == FLASH_EOP)
        {
            /* Enable writing protection Single Bank: page 32 to 33, Dual Banke: page 64  to 67 */
            state_value = FLASH_EnWriteProtection(FLASH_WRP_NUM16);
        }
        else
        {
            /* no process*/
        }
        
        if(state_value == FLASH_EOP)
        {
            /* Configure option byte datax */
            state_value = FLASH_ProgramOB_Data(0x55,0x66,0x77,0xAA);

src/main.csrc/main.c · main

        if(state_value == FLASH_EOP)
        {
            /* Configure option byte CCMSRAM reset without erasing */
            state_value = FLASH_ProgramOB_SRAMECC(SRAM2_ECC_ENABLE,SRAM3_ECC_ENABLE);
        }
        else
        {
            /* no process*/
        }

3. 用串口 0x55 恢复默认值。 主循环收到 0x55 后重复解锁与擦除流程，再以默认参数重新写读保护与 Bank 模式，从而把之前改动的选项字节恢复为默认值。

src/main.csrc/main.c · main

        UartCmd = USART_ReceiveData(USART1);
        if(UartCmd == 0x55)
        {
            /* Unlocks the FLASH Program Erase Controller */
            FLASH_Unlock();
            /* Unlocks the Option Byte Program Erase Controller */
            Option_Bytes_Unlock();
            /*  Erase Option Byte page */
            state_value = FLASH_EraseOB();

对应源码： src/main.c

5.14.3.5 Run_In_CCM 在 CCM SRAM 中运行代码

工程目录： projects/n32h49x_EVAL/examples/Flash/Run_In_CCM/

初始化串口→把启动代码已拷贝到 CCM SRAM 的函数字节镜像到普通 SRAM 备份→用 RCC 一键初始化把 CCM SRAM 填零并建立 ECC 位→把备份字节写回 CCM SRAM→打印三个函数执行地址并确认落在 CCM SRAM 范围→执行三级嵌套调用链并校验返回值

项目	源码解读
功能	演示把函数代码存放于 Flash、运行时复制到 CCM SRAM 并在其中执行的方法。示例用三级嵌套调用链，打印三个函数的执行地址确认位于 CCM SRAM，并校验调用链返回值为 448。
源码组成	`src/main.c`：`main`、`CCM_SRAM_Init`、`CCM_SRAM_SaveCode`、`CCM_SRAM_RestoreCode` 与三个被标记的 CCM 函数； `inc/main.h`：公共头文件； `src/n32h49x_it.c`、`inc/n32h49x_it.h`：中断服务函数； `readme.txt`：功能、环境与使用说明； `MDK-ARM/`（含自定义分散加载文件 `Run_In_CCM.sct`）、`EWARM/`（含自定义 ICF 文件 `Run_In_CCM.icf`）：Keil 与 IAR 工程。
关键配置	CCM SRAM 范围为 0x20070000～0x2007FFFF，大小 64KB；备份缓冲 `ccm_backup` 为 256 个字； `__CCM_FUNC` 宏按工具链把函数放到 CCM 段（Keil `ccmram`、IAR `CCM_CODE`），由自定义链接脚本指定函数的加载地址在 Flash、执行地址在 CCM SRAM。系统时钟 240 MHz，串口 USART1 TX PA9、RX PA10，波特率 115200。
程序与数据路径	`main` 先 `log_init`；调用 `CCM_SRAM_SaveCode` 把 CCM SRAM 现有内容镜像到 `ccm_backup`；调用 `CCM_SRAM_Init`，依次写起始地址、配置初始化范围与值、启动一键初始化并等待完成，再调用 `CCM_ModeSet`； `CCM_SRAM_RestoreCode` 把备份写回；取三个函数地址判断是否落在 CCM SRAM 范围内，最后调用 `CCM_WeightedSumOfSquares(5)` 并校验返回 448。
主要 API	`CCM_ModeSet`（CCM SRAM 一键初始化由 `RCC->SRAMCFG1`～`SRAMCFG4` 直接配置）
验证方法	串口依次打印 CCM Function Code Saved、CCM SRAM Initialized、CCM Function Code Restored；三个函数执行地址均落在 CCM SRAM 范围时打印 [PASS]；调用链返回 448 时打印 Run_In_CCM Test Passed。
使用提示	CCM SRAM 默认使能 ECC，读取前须保证 ECC 位有效；一键初始化会清零整个 CCM SRAM，包含启动代码已拷贝的函数代码，因此须在初始化后重新写回。 Keil 工程须使用 `Run_In_CCM.sct`，IAR 工程须使用 `Run_In_CCM.icf`。开发环境为 KEIL MDK-ARM V5.34 或 IAR EWARM 8.50.1。

核心代码解读与移植

示例说明如何把函数放到 CCM SRAM 执行，并用备份缓冲避免一键初始化清零代码。

数据路径： CCM_SRAM_SaveCode 镜像 CCM SRAM → CCM_SRAM_Init 一键初始化并 CCM_ModeSet → CCM_SRAM_RestoreCode 写回 → 校验函数地址在 CCM SRAM → CCM_WeightedSumOfSquares 返回 448

1. 用宏把函数放进 CCM 段。 示例按工具链定义 __CCM_FUNC，Keil 使用 ccmram 段、IAR 使用自定义的 CCM_CODE 段；标记后的函数加载地址仍在 Flash，由链接脚本决定执行地址在 CCM SRAM。

src/main.csrc/main.c

#if defined(__CC_ARM) || defined(__ARMCC_VERSION)
#define __CCM_FUNC  __attribute__((section("ccmram")))
#elif defined(__ICCARM__)
#define __CCM_FUNC  _Pragma("location=\"CCM_CODE\"")
#elif defined(__GNUC__)
#define __CCM_FUNC  __attribute__((section(".ccmram")))
#else
#define __CCM_FUNC
#endif

2. 一键初始化 CCM SRAM。 CCM_SRAM_Init 先向起始地址写一个初始化值，再配置初始化范围与值，启动一键初始化并等待完成标志，最后清使能位并打开 CCM 模式。

src/main.csrc/main.c · CCM_SRAM_Init

    *(__IO uint32_t *)CCM_SRAM_BASE = 0x00000000U;

    /* Step 1: Configure initialization range
       End address must differ from start address */
    RCC->SRAMCFG3 = (uint32_t)CCM_SRAM_BASE;
    RCC->SRAMCFG4 = (uint32_t)(CCM_SRAM_BASE + CCM_SRAM_SIZE - 4U);

    /* Step 2: Configure initialization value */
    RCC->SRAMCFG2 = 0x00000000U;

    /* Step 3: Start one-key initialization */
    RCC->SRAMCFG1 |= RCC_SRAMCFG1_SRINIEN;

    /* Step 4: Wait for initialization complete */
    while (!(RCC->SRAMCFG1 & RCC_SRAMCFG1_SRINIF))
    {
    }

    /* Clear initialization enable */
    RCC->SRAMCFG1 &= ~RCC_SRAMCFG1_SRINIEN;
    
    /* Enable CCM mode */
    CCM_ModeSet(ENABLE);

3. 备份代码、写回并校验执行地址。 一键初始化会覆盖启动代码已拷贝到 CCM SRAM 的函数字节，示例先把这些字镜像到普通 SRAM，初始化后再写回；随后取三个函数地址判断是否落在 CCM SRAM 范围内。

src/main.csrc/main.c · CCM_SRAM_SaveCode

    volatile uint32_t *src = (volatile uint32_t *)CCM_SRAM_BASE;
    uint32_t i;

    for (i = 0U; i < CCM_BACKUP_WORDS; i++)
    {
        ccm_backup[i] = src[i];
    }

src/main.csrc/main.c · main

    addr_square   = (uint32_t)CCM_Square              & ~1U;
    addr_sum      = (uint32_t)CCM_SumOfSquares         & ~1U;
    addr_weighted = (uint32_t)CCM_WeightedSumOfSquares & ~1U;

    printf("CCM_Square Address              : 0x%08X\r\n", (unsigned int)addr_square);
    printf("CCM_SumOfSquares Address        : 0x%08X\r\n", (unsigned int)addr_sum);
    printf("CCM_WeightedSumOfSquares Address: 0x%08X\r\n", (unsigned int)addr_weighted);
    printf("CCM SRAM Range: 0x%08X ~ 0x%08X\r\n",
           (unsigned int)CCM_SRAM_BASE, (unsigned int)CCM_SRAM_END);

    if ((addr_square   >= CCM_SRAM_BASE) && (addr_square   <= CCM_SRAM_END) &&
        (addr_sum      >= CCM_SRAM_BASE) && (addr_sum      <= CCM_SRAM_END) &&
        (addr_weighted >= CCM_SRAM_BASE) && (addr_weighted <= CCM_SRAM_END))
    {
        printf("All Functions In CCM SRAM [PASS]\r\n");
    }
    else
    {
        printf("Function NOT In CCM SRAM [FAIL]\r\n");
        while (1)
        {
        }
    }

对应源码： src/main.c

5.14.3.6 SingleBankRemap 单 Bank 启动重映射

工程目录： projects/n32h49x_EVAL/examples/Flash/SingleBankRemap/

初始化串口→读取并打印当前 Bank 模式→读取启动重映射状态→等待串口指令→改写启动区选项字节并复位或直接重映射→从主存储区前/后半段启动

项目	源码解读
功能	演示单 Bank 模式（DBANK=0）下的启动重映射。示例读取当前 Bank 模式与启动重映射状态，通过串口指令改写启动区选项字节或直接重映射，使系统从主存储区前/后半段启动。
源码组成	`src/main.c`：`main` 与启动使能位宏 `FLASH_BOOTENABLE`； `inc/main.h`：公共头文件； `src/n32h49x_it.c`、`inc/n32h49x_it.h`：中断服务函数； `readme.txt`：功能、环境与使用说明； `MDK-ARM/`、`EWARM/`：Keil 与 IAR 工程。
关键配置	启动使能标志位 `FLASH_BOOTENABLE` 为 0x00080000，通过系统存储区地址 0x1FFFE010 判断启动区；启动区由选项字节 USER2 的 `FLASH_OB2_FLASHBOOT` 位决定；重映射状态通过 `RCC->BOOTREMAP` 的 `RCC_BOOTREMAP_REMAPSEL` 域读取。系统时钟 240 MHz，串口 USART1 TX PA9、RX PA10，波特率 115200。
程序与数据路径	`main` 先 `log_init`；用 `FLASH_GetFlagSTS(FLASH_FLAG_BANKMODE)` 打印当前 Bank 模式，再读 `RCC->BOOTREMAP` 与 0x1FFFE010 判断当前启动区；主循环轮询 USART1：0x55 配置前半段为启动区、0x66 配置后半段为启动区，二者改写选项字节后复位； 0x77 与 0x88 只做前后半段重映射。
主要 API	`FLASH_GetFlagSTS`、`FLASH_Unlock`、`FLASH_EraseOB`、`FLASH_ProgramOB_RRDC`、`FLASH_ProgramOB_U1U2`
验证方法	复位运行后串口打印当前 Bank 模式和启动区；下发 0x55 或 0x66 后系统复位并从对应半段启动；下发 0x77 或 0x88 后直接重映射并从对应半段启动。
使用提示	单 Bank 模式下主存储区分前后两半段，启动地址始终是 0x08000000。改写启动区选项字节后需要系统复位，示例用 `NVIC_SystemReset` 完成。开发环境为 KEIL MDK-ARM V5.34 或 IAR EWARM 8.50.1。

核心代码解读与移植

示例读取启动区来源，并通过选项字节或 RCC 重映射把启动区切换到主存储区的另一半。

数据路径： 读 FLASH_FLAG_BANKMODE 与 RCC->BOOTREMAP/0x1FFFE010 → 串口指令 → FLASH_ProgramOB_U1U2 改启动位并复位，或 RCC_ConfigRemapMode/RCC_EnableRemap 重映射

1. 读取 Bank 模式与启动区。 示例先打印 Bank 模式，再读重映射寄存器；未使能重映射时改读系统存储区的启动使能位，据此判断系统从主存储区的前半段还是后半段启动。

src/main.csrc/main.c · main

    /* Show bank mode */
    if(FLASH_GetFlagSTS(FLASH_FLAG_BANKMODE) == SET)
    {
        log_info("FLASH is dual bank mode!\r\n");
    }
    else
    {
        log_info("FLASH is single bank mode!\r\n");
    }

    Value_temp = RCC->BOOTREMAP  & RCC_BOOTREMAP_REMAPSEL;
    if(Value_temp == RCC_REMAP_BFLASH)
    {
        FlashRemap = RCC_REMAP_BFLASH;
        log_info("Flash starts from the forward half, with startup address 0x08000000!\r\n");
    }
    else if(Value_temp == RCC_REMAP_AFLASH)
    {
        FlashRemap = RCC_REMAP_AFLASH;
        log_info("Flash starts from the back half, with startup address 0x08000000!\r\n");
    }
    else
    {
        log_info("No boot remap!\r\n");
        if(((*(uint32_t*)(0x1FFFE010)) & FLASH_BOOTENABLE) ==  FLASH_BOOTENABLE)
        {
            FlashRemap = RCC_REMAP_BFLASH;
            printf("System start from the forward half,with startup address 0x08000000!\r\n");
        }
        else
        {
            FlashRemap = RCC_REMAP_AFLASH;
            printf("System start from the back half,with startup address 0x08000000!\r\n");
        }
    }

2. 改写启动区选项字节并复位。 需要持久改变启动区时，示例解锁并擦除选项字节，先配置为单 Bank 模式，再用 USER2 的启动位写入目标半段，最后调用 NVIC_SystemReset 复位。

src/main.csrc/main.c · main

        if(UartCmd == 0xDD) /* Modify OB */
        {
            FLASH_Unlock();
            FLASH_EraseOB();
            
            /* Configure FLASH to Single BANK mode */
            FLASH_ProgramOB_RRDC(FLASH_OB_RDP1_DISABLE,FLASH_OB_RDP2_DISABLE,FLASH_SINGLE_BANK,CCMSRAM_RST_NERASE);
            
            /* Configure FLASH BANK1 startup */
            FLASH_ProgramOB_U1U2(FLASH_OB_IWDG_SOFTWARE,FLASH_OB_STOP_NORST,FLASH_OB_STDBY_NORST,FLASH_OB_IWDG_STOP_NOFRZ,\
                                 FLASH_OB_IWDG_STDBY_NOFRZ,FLASH_OB_IWDG_SLEEP_NOFRZ,FLASH_OB2_NBOOT0_SET,FLASH_OB2_NBOOT1_SET,\
                                 FLASH_OB2_NSWBOOT0_SET,Value_temp,FLASH_OB2_DAC_SET, BOR_LEVEL_1_6V);
            
            log_info("System reset !\r\n");
            NVIC_SystemReset();
        }

3. 直接重映射启动区。 不需要改写选项字节时，示例只调用 RCC_ConfigRemapMode 与 RCC_EnableRemap 立即切换启动映射，不触发复位。

src/main.csrc/main.c · main

        else if(UartCmd == 0xEE)    /* Remap */
        {
            RCC_ConfigRemapMode(Value_temp);
            RCC_EnableRemap();
        }

对应源码： src/main.c

5.14.4 注意与排障

场景	检查与建议	来源
编程/擦除的时钟条件	进行 Flash 编程（写入或擦除）时必须打开内部 RC 振荡器（HSI）；低功耗模式下所有 Flash 操作都被中止。	用户手册
写操作与擦除粒度	Flash 写入只支持 64 位双字；编程阶段写入半字会产生总线错误；写入前须先擦除，双 BANK 模式最小擦除单位为 8KB 一页，单 BANK 模式为 16KB 一页。	用户手册
BUSY 期间的访问限制	`FLASH_STS.BUSY` 为 1 时不能对任何 Flash 寄存器执行写操作，也不能对同一片 Flash 同时读写。	用户手册
页擦除地址对齐	单 BANK 模式下 `Page_Address` 须为 0x4000 的整数倍（每页 16KB）；双 BANK 模式下须为 0x2000 的整数倍（每页 8KB）。	用户手册
整片擦除的 BANK 选择	DBANK=0（单 BANK）时，只置位 MER1 或 MER2 不会执行整片擦除。	用户手册
行编程的地址跨度	行编程不能跨 512 字节；编程地址要与行编程的开始地址及字长度一致。	用户手册
双 BANK 读写并发	双 BANK 模式（DBANK=1）允许一个 Bank 擦除或编程的同时从另一个 Bank 读取；不允许同时进行两次写操作；选项字节与 BANK1 位于同一片 Flash，不能同时操作。	用户手册
选项字节解锁	对选项字节编程或擦除前须先解锁 Flash 与选项字节（`FLASH_OPTKEY` 写入 KEY1 0x45670123、KEY2 0xCDEF89AB）； OPTWE=0 时选项字节被锁定。	用户手册
BANK 模式切换后重刷	通过选项字节切换 BANK 模式后，主存储区结构发生变化，需要重新刷写 Flash。	用户手册
写保护生效条件	通过 WRP 配置写保护后，需进行一次系统复位才能生效；对受保护的页编程或擦除会返回保护错误标志。	用户手册
读出保护 L1	使能读出保护 L1 后，除整片擦除外，全部主存储区页不允许在调试模式下或从内部 SRAM 启动后执行写或擦除。	用户手册
等待周期与预取	读等待周期须随 AHB 时钟提高而增大（48 MHz 内为 0、96 MHz 内为 1、144 MHz 内为 2、192 MHz 内为 3、240 MHz 内为 4）；等待周期不为零时启用预取缓冲可提高效率。	用户手册